Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Пам'ять

MT48LC4M16A2TG-6 IT:G
Micron Technology Inc.

MT48LC4M16A2TG-6 IT:G

частина: 735

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Тактова частота: 167MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

Список побажань
MT45W1MW16BAFB-706 WT
Micron Technology Inc.

MT45W1MW16BAFB-706 WT

частина: 4460

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань
MT45W1MW16PABA-70 WT
Micron Technology Inc.

MT45W1MW16PABA-70 WT

частина: 4567

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань
MT46V32M16P-75:C TR
Micron Technology Inc.

MT46V32M16P-75:C TR

частина: 6729

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT47H128M4CB-5E:B
Micron Technology Inc.

MT47H128M4CB-5E:B

частина: 8297

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (128M x 4), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT48LC16M16A2TG-6A:D TR
Micron Technology Inc.

MT48LC16M16A2TG-6A:D TR

частина: 9684

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 167MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

Список побажань
MT48H16M32L2B5-10
Micron Technology Inc.

MT48H16M32L2B5-10

частина: 8805

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPSDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (16M x 32), Тактова частота: 100MHz,

Список побажань
MT46V32M16TG-75 IT:C TR
Micron Technology Inc.

MT46V32M16TG-75 IT:C TR

частина: 6882

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT48LC8M8A2P-75 L:G
Micron Technology Inc.

MT48LC8M8A2P-75 L:G

частина: 2670

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 64Mb (8M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT28F800B3WP-9 B TR
Micron Technology Inc.

MT28F800B3WP-9 B TR

частина: 4015

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 90ns,

Список побажань
MT46V32M16TG-75:C TR
Micron Technology Inc.

MT46V32M16TG-75:C TR

частина: 7072

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT28F400B3WG-8 BET
Micron Technology Inc.

MT28F400B3WG-8 BET

частина: 2899

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 80ns,

Список побажань
MT48LC8M32LFF5-10 IT TR
Micron Technology Inc.

MT48LC8M32LFF5-10 IT TR

частина: 2529

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPSDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 100MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT48LC4M32LFF5-8:G
Micron Technology Inc.

MT48LC4M32LFF5-8:G

частина: 1304

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPSDR, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 125MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT48LC32M8A2BB-75 L:D
Micron Technology Inc.

MT48LC32M8A2BB-75 L:D

частина: 4112

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT28F320J3RG-11 MET
Micron Technology Inc.

MT28F320J3RG-11 MET

частина: 2612

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),

Список побажань
MT48LC4M16A2TG-6:G TR
Micron Technology Inc.

MT48LC4M16A2TG-6:G TR

частина: 797

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Тактова частота: 167MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

Список побажань
MT46V64M8BN-75 IT:D
Micron Technology Inc.

MT46V64M8BN-75 IT:D

частина: 7636

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT45W1MW16BAFB-708 WT
Micron Technology Inc.

MT45W1MW16BAFB-708 WT

частина: 4518

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань
MT48LC8M16LFF4-8 IT:G
Micron Technology Inc.

MT48LC8M16LFF4-8 IT:G

частина: 4247

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPSDR, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 125MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT28F128J3RP-12 ET TR
Micron Technology Inc.

MT28F128J3RP-12 ET TR

частина: 2367

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8, 8M x 16),

Список побажань
MT47H128M4CB-3:B
Micron Technology Inc.

MT47H128M4CB-3:B

частина: 8270

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (128M x 4), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT46V128M4TG-75E:D TR
Micron Technology Inc.

MT46V128M4TG-75E:D TR

частина: 3572

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (128M x 4), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT28F800B5SG-8 T TR
Micron Technology Inc.

MT28F800B5SG-8 T TR

частина: 4168

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 80ns,

Список побажань
MT48LC16M8A2TG-75 L:G
Micron Technology Inc.

MT48LC16M8A2TG-75 L:G

частина: 9928

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT45W4MW16BFB-708 WT TR
Micron Technology Inc.

MT45W4MW16BFB-708 WT TR

частина: 4977

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань
MT46V128M4FN-75Z:D TR
Micron Technology Inc.

MT46V128M4FN-75Z:D TR

частина: 5404

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (128M x 4), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT28F004B5VG-8 TET TR
Micron Technology Inc.

MT28F004B5VG-8 TET TR

частина: 1985

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 80ns,

Список побажань
MT46V16M16TG-75:F TR
Micron Technology Inc.

MT46V16M16TG-75:F TR

частина: 5946

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT48V8M16LFB4-8 IT:G TR
Micron Technology Inc.

MT48V8M16LFB4-8 IT:G TR

частина: 4347

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPSDR, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 125MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT48LC4M32B2P-6:G
Micron Technology Inc.

MT48LC4M32B2P-6:G

частина: 885

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 167MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

Список побажань
MT48V8M16LFB4-10 IT:G
Micron Technology Inc.

MT48V8M16LFB4-10 IT:G

частина: 3272

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPSDR, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 100MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT28F640J3RP-115 MET TR
Micron Technology Inc.

MT28F640J3RP-115 MET TR

частина: 3816

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 64Mb (8M x 8, 4M x 16),

Список побажань
MT45W2MW16BABB-706 L WT
Micron Technology Inc.

MT45W2MW16BABB-706 L WT

частина: 4625

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 32Mb (2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань
MT48LC16M16A2FG-7E:D
Micron Technology Inc.

MT48LC16M16A2FG-7E:D

частина: 9490

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 14ns,

Список побажань
MT46V64M8FN-75:D TR
Micron Technology Inc.

MT46V64M8FN-75:D TR

частина: 8026

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань