Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Пам'ять

MT48LC16M16A2P-7E IT:D
Micron Technology Inc.

MT48LC16M16A2P-7E IT:D

частина: 9520

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 14ns,

Список побажань
MT46V32M16TG-6T:C TR
Micron Technology Inc.

MT46V32M16TG-6T:C TR

частина: 6803

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 167MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT29F2G08AACWP:C TR
Micron Technology Inc.

MT29F2G08AACWP:C TR

частина: 9043

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8),

Список побажань
MT47H16M16BG-3E:B
Micron Technology Inc.

MT47H16M16BG-3E:B

частина: 8324

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT46V128M4BN-6:D TR
Micron Technology Inc.

MT46V128M4BN-6:D TR

частина: 5370

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (128M x 4), Тактова частота: 167MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT48LC32M8A2P-75:D
Micron Technology Inc.

MT48LC32M8A2P-75:D

частина: 469

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT28F800B3SG-9 B
Micron Technology Inc.

MT28F800B3SG-9 B

частина: 3892

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 90ns,

Список побажань
MT28F400B3WG-8 T TR
Micron Technology Inc.

MT28F400B3WG-8 T TR

частина: 2935

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 80ns,

Список побажань
MT48V8M32LFF5-8 TR
Micron Technology Inc.

MT48V8M32LFF5-8 TR

частина: 3806

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPSDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 125MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT46V32M8FG-75 L:G TR
Micron Technology Inc.

MT46V32M8FG-75 L:G TR

частина: 7218

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT48LC4M32B2TG-7:G TR
Micron Technology Inc.

MT48LC4M32B2TG-7:G TR

частина: 949

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 143MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 14ns,

Список побажань
MT48LC8M16LFB4-10 IT:G TR
Micron Technology Inc.

MT48LC8M16LFB4-10 IT:G TR

частина: 1735

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPSDR, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 100MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT48V4M32LFB5-8 IT:G TR
Micron Technology Inc.

MT48V4M32LFB5-8 IT:G TR

частина: 3031

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPSDR, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 125MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT28F800B3WP-9 T TR
Micron Technology Inc.

MT28F800B3WP-9 T TR

частина: 4027

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 90ns,

Список побажань
MT29E2T08CUHBBM4-3:B
Micron Technology Inc.

MT29E2T08CUHBBM4-3:B

частина: 112

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 2Tb (256G x 8), Тактова частота: 333MHz,

Список побажань
MT45W4MW16BFB-856 WT F TR
Micron Technology Inc.

MT45W4MW16BFB-856 WT F TR

частина: 5029

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 85ns,

Список побажань
MT46V32M16FN-6:C TR
Micron Technology Inc.

MT46V32M16FN-6:C TR

частина: 6499

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 167MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT29E3T08EUHBBM4-3:B
Micron Technology Inc.

MT29E3T08EUHBBM4-3:B

частина: 127

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 3Tb (384G x 8), Тактова частота: 333MHz,

Список побажань
MT48LC8M8A2P-7E:G
Micron Technology Inc.

MT48LC8M8A2P-7E:G

частина: 2772

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 64Mb (8M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 14ns,

Список побажань
MT46V32M16P-5B:C TR
Micron Technology Inc.

MT46V32M16P-5B:C TR

частина: 6700

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT29F4G08AAAWP:A TR
Micron Technology Inc.

MT29F4G08AAAWP:A TR

частина: 9005

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8),

Список побажань
MT28F400B5SG-8 TET TR
Micron Technology Inc.

MT28F400B5SG-8 TET TR

частина: 3342

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 80ns,

Список побажань
MT28F320J3FS-11 GMET
Micron Technology Inc.

MT28F320J3FS-11 GMET

частина: 2488

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),

Список побажань
MT48LC16M4A2TG-7E:G
Micron Technology Inc.

MT48LC16M4A2TG-7E:G

частина: 9725

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 64Mb (16M x 4), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 14ns,

Список побажань
MT28F640J3FS-115 GMET
Micron Technology Inc.

MT28F640J3FS-115 GMET

частина: 3515

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 64Mb (8M x 8, 4M x 16),

Список побажань
MT40A4G8KVA-083H:G TR
Micron Technology Inc.

MT40A4G8KVA-083H:G TR

частина: 125

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR4, Обсяг пам'яті: 32Gb (4G x 8), Тактова частота: 1.2GHz,

Список побажань
MT46V64M8FN-75 IT:D
Micron Technology Inc.

MT46V64M8FN-75 IT:D

частина: 7859

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT28F320J3RP-11 ET TR
Micron Technology Inc.

MT28F320J3RP-11 ET TR

частина: 2638

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),

Список побажань
MT48LC8M16LFF4-8 IT:G TR
Micron Technology Inc.

MT48LC8M16LFF4-8 IT:G TR

частина: 2095

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPSDR, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 125MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT46V64M8TG-75:D
Micron Technology Inc.

MT46V64M8TG-75:D

частина: 8205

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT46V16M16TG-75 IT:F
Micron Technology Inc.

MT46V16M16TG-75 IT:F

частина: 5871

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT48LC4M32LFB5-8:G TR
Micron Technology Inc.

MT48LC4M32LFB5-8:G TR

частина: 1195

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPSDR, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 125MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT28F004B5VP-8 T
Micron Technology Inc.

MT28F004B5VP-8 T

частина: 1958

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 80ns,

Список побажань
MTFC256GAOAMAM-WT TR
Micron Technology Inc.

MTFC256GAOAMAM-WT TR

частина: 68

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 2Tb (256G x 8),

Список побажань
MT46V16M8P-75:D
Micron Technology Inc.

MT46V16M8P-75:D

частина: 5895

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT46V128M8TG-75:A TR
Micron Technology Inc.

MT46V128M8TG-75:A TR

частина: 5566

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань