Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Пам'ять

MT48LC8M16LFB4-8 XT:G
Micron Technology Inc.

MT48LC8M16LFB4-8 XT:G

частина: 1837

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPSDR, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 125MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT46V32M16TG-75 L:C
Micron Technology Inc.

MT46V32M16TG-75 L:C

частина: 6872

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT28F800B3WP-9 T
Micron Technology Inc.

MT28F800B3WP-9 T

частина: 4089

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 90ns,

Список побажань
MTA36ASF4G72PZ-2G9E2
Micron Technology Inc.

MTA36ASF4G72PZ-2G9E2

частина: 95

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR4, Обсяг пам'яті: 288Gb (4G x 72), Тактова частота: 1467MHz,

Список побажань
MT29F256G08AUCABJ3-10Z:A
Micron Technology Inc.

MT29F256G08AUCABJ3-10Z:A

частина: 276

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 256Gb (32G x 8), Тактова частота: 100MHz,

Список побажань
MT46V32M16FN-6 IT:C
Micron Technology Inc.

MT46V32M16FN-6 IT:C

частина: 6213

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 167MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT28F400B3SG-8 BET
Micron Technology Inc.

MT28F400B3SG-8 BET

частина: 2741

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 80ns,

Список побажань
MT46V32M8TG-75Z:G
Micron Technology Inc.

MT46V32M8TG-75Z:G

частина: 7414

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT48V4M32LFF5-8:G
Micron Technology Inc.

MT48V4M32LFF5-8:G

частина: 3277

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPSDR, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 125MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT47H64M8CB-37V:B TR
Micron Technology Inc.

MT47H64M8CB-37V:B TR

частина: 8714

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 267MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT45W4MW16PFA-70 WT TR
Micron Technology Inc.

MT45W4MW16PFA-70 WT TR

частина: 5078

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань
MT45W1MW16PAFA-85 WT TR
Micron Technology Inc.

MT45W1MW16PAFA-85 WT TR

частина: 4610

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 85ns,

Список побажань
MT48LC4M16A2TG-75 L:G TR
Micron Technology Inc.

MT48LC4M16A2TG-75 L:G TR

частина: 846

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT46V16M16TG-5G:F TR
Micron Technology Inc.

MT46V16M16TG-5G:F TR

частина: 5869

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT28F400B5SG-8 BET
Micron Technology Inc.

MT28F400B5SG-8 BET

частина: 2987

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 80ns,

Список побажань
M29W640FB70N6E
Micron Technology Inc.

M29W640FB70N6E

частина: 24780

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 64Mb (8M x 8, 4M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань
MT53D768M64D8NZ-046 WT:E
Micron Technology Inc.

MT53D768M64D8NZ-046 WT:E

частина: 122

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR4, Обсяг пам'яті: 48Gb (768M x 64), Тактова частота: 2133MHz,

Список побажань
MT46V32M16TG-5B:C TR
Micron Technology Inc.

MT46V32M16TG-5B:C TR

частина: 6778

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT46V64M4TG-75:G TR
Micron Technology Inc.

MT46V64M4TG-75:G TR

частина: 7572

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (64M x 4), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT47H32M16CC-3:B
Micron Technology Inc.

MT47H32M16CC-3:B

частина: 8435

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT28F800B5WG-8 TET
Micron Technology Inc.

MT28F800B5WG-8 TET

частина: 4392

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 80ns,

Список побажань
MT47H128M4CB-5E:B TR
Micron Technology Inc.

MT47H128M4CB-5E:B TR

частина: 8291

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (128M x 4), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT48LC4M32LFB5-8 XT:G TR
Micron Technology Inc.

MT48LC4M32LFB5-8 XT:G TR

частина: 1124

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPSDR, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 125MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT48LC16M16A2TG-7E L:D TR
Micron Technology Inc.

MT48LC16M16A2TG-7E L:D TR

частина: 9709

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 14ns,

Список побажань
MT28F400B5WG-8 BET
Micron Technology Inc.

MT28F400B5WG-8 BET

частина: 3099

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 80ns,

Список побажань
MT46V64M4FG-75E:G TR
Micron Technology Inc.

MT46V64M4FG-75E:G TR

частина: 7485

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (64M x 4), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT48V4M32LFF5-10:G
Micron Technology Inc.

MT48V4M32LFF5-10:G

частина: 4386

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPSDR, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 100MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT29F256G08AUCABH3-10Z:A
Micron Technology Inc.

MT29F256G08AUCABH3-10Z:A

частина: 404

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 256Gb (32G x 8), Тактова частота: 100MHz,

Список побажань
MT28F004B5VG-8 T
Micron Technology Inc.

MT28F004B5VG-8 T

частина: 3251

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 80ns,

Список побажань
MT48LC64M8A2P-75 IT:C
Micron Technology Inc.

MT48LC64M8A2P-75 IT:C

частина: 514

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT46V32M16P-6T:C TR
Micron Technology Inc.

MT46V32M16P-6T:C TR

частина: 6659

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 167MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT28F320J3RG-11 GMET TR
Micron Technology Inc.

MT28F320J3RG-11 GMET TR

частина: 367

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),

Список побажань
MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR
Micron Technology Inc.

MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR

частина: 314

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 3Tb (384G x 8), Тактова частота: 333MHz,

Список побажань
MT47H128M4CB-3:B TR
Micron Technology Inc.

MT47H128M4CB-3:B TR

частина: 8319

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (128M x 4), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT48LC16M16A2BG-7E:D
Micron Technology Inc.

MT48LC16M16A2BG-7E:D

частина: 9473

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 14ns,

Список побажань
MT48LC16M8A2BB-75:G
Micron Technology Inc.

MT48LC16M8A2BB-75:G

частина: 9750

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань