Пам'ять

MT48LC8M8A2P-75 IT:G TR

частина: 2603

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 64Mb (8M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT28F128J3RP-12 ET

частина: 2388

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8, 8M x 16),

MT48LC16M16A2P-7E L:D TR

частина: 9557

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 14ns,

MT48LC8M8A2P-75:G

частина: 2616

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 64Mb (8M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT45W1MW16PAFA-70 WT

частина: 4549

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

MT46V16M16TG-75:F

частина: 5872

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT28F800B3SG-9 TET

частина: 3927

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 90ns,

MT48V8M16LFB4-10:G TR

частина: 3305

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPSDR, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 100MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT28F400B3WG-8 BET TR

частина: 2903

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 80ns,

MT46V64M8BN-5B:D

частина: 3832

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT46V16M8TG-75:D

частина: 6002

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT48H16M32L2F5-10

частина: 8867

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPSDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (16M x 32), Тактова частота: 100MHz,

MT46V64M8P-75Z:D TR

частина: 8165

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT45W2MW16PABA-70 IT

частина: 4669

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 32Mb (2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

MT48LC16M16A2P-75 L:D

частина: 9491

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT48LC8M16A2P-6A:G TR

частина: 1612

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 167MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

MT46V64M8TG-75 IT:D TR

частина: 8212

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT48LC4M32LFB5-10:G

частина: 1012

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPSDR, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 100MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT48LC4M16A2P-75 L:G

частина: 4100

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT46V64M8FN-75 IT:D TR

частина: 7938

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT48H4M16LFB4-10 IT

частина: 8969

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPSDR, Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT28F320J3RG-11 GMET

частина: 2539

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),

MT45W4MW16PFA-70 WT

частина: 5090

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

MT46V64M4TG-75:G

частина: 7577

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (64M x 4), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT46V64M8P-75:D

частина: 8175

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT48V8M32LFF5-8 IT

частина: 3820

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPSDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 125MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT28F008B3VG-9 TET

частина: 2040

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 90ns,

MT53E2G32D8QD-053 WT:E TR

частина: 131

MT47H256M4B7-5E:A TR

частина: 4969

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (256M x 4), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT48LC32M8A2TG-75 IT:D TR

частина: 579

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT48LC8M16LFF4-8:G

частина: 2100

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPSDR, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 125MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT48H4M16LFF4-10 IT

частина: 9088

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPSDR, Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT46V64M8BN-75:D

частина: 7825

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

MT28F640J3FS-115 XMET TR

частина: 3702

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 64Mb (8M x 8, 4M x 16),

MTFC128GAJAECE-AAT TR

частина: 66

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 1Tb (128G x 8),

MT48LC32M16A2TG-75 L:C

частина: 132

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,