Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Пам'ять

MT48LC4M32LFF5-8 IT:G TR
Micron Technology Inc.

MT48LC4M32LFF5-8 IT:G TR

частина: 1196

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPSDR, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 125MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT48LC16M8A2BB-75 IT:G
Micron Technology Inc.

MT48LC16M8A2BB-75 IT:G

частина: 9682

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT28F800B3WG-9 T
Micron Technology Inc.

MT28F800B3WG-9 T

частина: 4030

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 90ns,

Список побажань
MT47H32M8BP-5E:B TR
Micron Technology Inc.

MT47H32M8BP-5E:B TR

частина: 8591

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT28F008B3VG-9 T
Micron Technology Inc.

MT28F008B3VG-9 T

частина: 1990

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 90ns,

Список побажань
MT46V64M8BN-75:D TR
Micron Technology Inc.

MT46V64M8BN-75:D TR

частина: 7929

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT28F008B5VG-8 BET TR
Micron Technology Inc.

MT28F008B5VG-8 BET TR

частина: 2204

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 80ns,

Список побажань
MT48LC8M16LFB4-10 IT:G
Micron Technology Inc.

MT48LC8M16LFB4-10 IT:G

частина: 1784

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPSDR, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 100MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A
Micron Technology Inc.

MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A

частина: 361

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND, Обсяг пам'яті: 256Gb (32G x 8), Тактова частота: 100MHz,

Список побажань
MT28F400B5SP-8 T
Micron Technology Inc.

MT28F400B5SP-8 T

частина: 3081

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 80ns,

Список побажань
MT46V64M16TG-75:A TR
Micron Technology Inc.

MT46V64M16TG-75:A TR

частина: 7443

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT28F400B5SP-8 T TR
Micron Technology Inc.

MT28F400B5SP-8 T TR

частина: 3339

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 80ns,

Список побажань
MT48H4M16LFB4-10 IT TR
Micron Technology Inc.

MT48H4M16LFB4-10 IT TR

частина: 9065

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPSDR, Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT46V16M16FG-75:F
Micron Technology Inc.

MT46V16M16FG-75:F

частина: 5686

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT48H8M32LFB5-10 TR
Micron Technology Inc.

MT48H8M32LFB5-10 TR

частина: 9253

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPSDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 100MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT28F400B5SG-8 B
Micron Technology Inc.

MT28F400B5SG-8 B

частина: 2967

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 80ns,

Список побажань
MT28F128J3FS-12 MET TR
Micron Technology Inc.

MT28F128J3FS-12 MET TR

частина: 2352

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8, 8M x 16),

Список побажань
MT28F004B5VG-8 TET
Micron Technology Inc.

MT28F004B5VG-8 TET

частина: 1964

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 80ns,

Список побажань
MT45W4MW16BFB-706 WT TR
Micron Technology Inc.

MT45W4MW16BFB-706 WT TR

частина: 4834

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань
MT47H32M16CC-5E:B
Micron Technology Inc.

MT47H32M16CC-5E:B

частина: 8520

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT48H4M16LFF4-10
Micron Technology Inc.

MT48H4M16LFF4-10

частина: 9040

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPSDR, Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT48LC2M32B2P-55:G TR
Micron Technology Inc.

MT48LC2M32B2P-55:G TR

частина: 10003

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 64Mb (2M x 32), Тактова частота: 183MHz,

Список побажань
MT46V32M16P-75:C
Micron Technology Inc.

MT46V32M16P-75:C

частина: 6730

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT48LC4M32B2B5-6:G TR
Micron Technology Inc.

MT48LC4M32B2B5-6:G TR

частина: 877

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 167MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

Список побажань
MT48LC8M32LFF5-10 IT
Micron Technology Inc.

MT48LC8M32LFF5-10 IT

частина: 2476

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPSDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 100MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT28F640J3RG-115 MET TR
Micron Technology Inc.

MT28F640J3RG-115 MET TR

частина: 3793

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 64Mb (8M x 8, 4M x 16),

Список побажань
MT46V32M16TG-75Z:C TR
Micron Technology Inc.

MT46V32M16TG-75Z:C TR

частина: 6966

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT28F800B3SG-9 BET TR
Micron Technology Inc.

MT28F800B3SG-9 BET TR

частина: 3850

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 90ns,

Список побажань
MT28F320J3BS-11 GMET TR
Micron Technology Inc.

MT28F320J3BS-11 GMET TR

частина: 2507

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),

Список побажань
MT46V128M4P-6T:D
Micron Technology Inc.

MT46V128M4P-6T:D

частина: 5448

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (128M x 4), Тактова частота: 167MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT48V8M32LFF5-8
Micron Technology Inc.

MT48V8M32LFF5-8

частина: 3767

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPSDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 125MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT48LC8M32B2F5-7 IT TR
Micron Technology Inc.

MT48LC8M32B2F5-7 IT TR

частина: 2235

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 143MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 14ns,

Список побажань
MT28F008B3VG-9 B TR
Micron Technology Inc.

MT28F008B3VG-9 B TR

частина: 2016

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 90ns,

Список побажань
MT46V128M4TG-75:D
Micron Technology Inc.

MT46V128M4TG-75:D

частина: 5538

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (128M x 4), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
MT48LC8M32B2B5-6 TR
Micron Technology Inc.

MT48LC8M32B2B5-6 TR

частина: 2174

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

Список побажань
MT48H8M32LFF5-8 IT TR
Micron Technology Inc.

MT48H8M32LFF5-8 IT TR

частина: 4006

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPSDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 125MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань