Пам'ять

IS61WV25616EDALL-20BLI

частина: 119

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 20ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R86400F-6BL-TR

частина: 129

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R86400E-5BL-TR

частина: 89

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR85120A-15HBL-TR

частина: 11343

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8), Тактова частота: 667MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LPS12836EC-200TQLI-TR

частина: 11638

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R16160D-6BLI-TR

частина: 11967

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R32800D-6BL-TR

частина: 11085

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR81280BL-125JBLI-TR

частина: 10487

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3L, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Тактова частота: 800MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NLP12836EC-200TQLI-TR

частина: 11597

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR16128BL-125KBL

частина: 11777

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3L, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 800MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS41LV16100D-50KLI-TR

частина: 131

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM - EDO, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16),

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R16160D-6BL

частина: 9692

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32800J-7TL-TR

частина: 11574

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46DR16320E-3DBLA1

частина: 66

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16160G-5BL

частина: 11192

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR86400E-25DBLI-TR

частина: 123

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46TR16640B-15GBLA1-TR

частина: 134

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16), Тактова частота: 667MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS34ML02G084-TLI-TR

частина: 82

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND (SLC), Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42RM16160K-6BLI

частина: 10361

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS64WV25616EDBLL-10CTLA3-TR

частина: 11531

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LF6436A-8.5TQLI

частина: 13154

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 2Mb (64K x 36), Тактова частота: 90MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LPS25618EC-200TQLI-TR

частина: 11622

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R16320E-6BL-TR

частина: 57

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S32400F-6BLA1

частина: 11067

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R16160D-5BLI

частина: 10038

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R16320E-5TLI-TR

частина: 57

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46R16160D-6TLA2-TR

частина: 9726

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16800F-7CTLA1

частина: 11813

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42VM32800K-75BLI-TR

частина: 11365

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR16128B-125KBL

частина: 12280

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 800MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 1.6ms,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R86400F-6TLI

частина: 95

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42SM32400H-6BLI

частина: 11586

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46DR16320E-25DBLA1

частина: 88

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16160J-7TLA2

частина: 10771

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS66WVE4M16EALL-70BLI

частина: 13292

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань

частина: 119

частина: 129

частина: 89

частина: 11343

частина: 11638

частина: 11967

частина: 11085

частина: 10487

частина: 11597

частина: 11777

частина: 131

частина: 9692

частина: 11574

частина: 66

частина: 11192

частина: 123

частина: 134

частина: 82

частина: 10361

частина: 11531

частина: 13154

частина: 11622

частина: 57

частина: 11067

частина: 10038

частина: 57

частина: 9726

частина: 11813

частина: 11365

частина: 12280

частина: 83

частина: 95

частина: 11586

частина: 88

частина: 10771

частина: 13292