Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Пам'ять

IS43DR86400D-25DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR86400D-25DBLI-TR

частина: 9850

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43TR16128C-15HBL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR16128C-15HBL-TR

частина: 10393

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 667MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43TR81280B-15GBL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR81280B-15GBL-TR

частина: 11608

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Тактова частота: 667MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS42S32800J-75ETL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32800J-75ETL-TR

частина: 11058

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань
IS43TR81280BL-107MBL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR81280BL-107MBL-TR

частина: 10994

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3L, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Тактова частота: 933MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS62WV51216BLL-55BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV51216BLL-55BLI-TR

частина: 14279

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань
IS43R32400E-5BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R32400E-5BLI

частина: 10269

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43R16320F-5TLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R16320F-5TLI-TR

частина: 66

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS42S32800J-75EBL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32800J-75EBL-TR

частина: 10718

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань
IS43R86400F-6TLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R86400F-6TLI-TR

частина: 106

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS42S83200G-7TLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S83200G-7TLI-TR

частина: 10630

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS43DR86400C-25DBL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR86400C-25DBL-TR

частина: 10602

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43DR16640C-3DBI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR16640C-3DBI

частина: 85

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS45S16160G-6CTLA1
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16160G-6CTLA1

частина: 10413

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань
IS43LR32800G-6BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LR32800G-6BLI-TR

частина: 9357

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS34ML01G084-BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS34ML01G084-BLI

частина: 1447

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND (SLC), Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

Список побажань
IS46DR16160B-3DBLA1
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46DR16160B-3DBLA1

частина: 10602

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS41LV16105C-50TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS41LV16105C-50TLI

частина: 9848

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM - FP, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16),

Список побажань
IS43TR16640BL-125KBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR16640BL-125KBLI-TR

частина: 114

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3L, Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16), Тактова частота: 800MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43R86400F-6BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R86400F-6BLI-TR

частина: 107

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43TR16256AL-125KBL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR16256AL-125KBL-TR

частина: 9705

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3L, Обсяг пам'яті: 4Gb (256M x 16), Тактова частота: 800MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS62WV51216EALL-55BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV51216EALL-55BLI

частина: 12836

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань
IS43TR81280B-125KBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR81280B-125KBLI-TR

частина: 97

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Тактова частота: 800MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS61NLF12836EC-7.5TQLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NLF12836EC-7.5TQLI-TR

частина: 11640

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (128K x 36), Тактова частота: 117MHz,

Список побажань
IS43DR81280C-3DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR81280C-3DBLI-TR

частина: 107

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS42S32800G-7BL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32800G-7BL-TR

частина: 10353

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS46R16160F-6TLA2-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46R16160F-6TLA2-TR

частина: 12426

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43R16320E-6TLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R16320E-6TLI-TR

частина: 52

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS62WV51216EALL-55TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV51216EALL-55TLI

частина: 11884

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань
IS43DR16320D-3DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR16320D-3DBLI-TR

частина: 11418

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS42SM32800K-75BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42SM32800K-75BLI-TR

частина: 11089

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань
IS43R32800D-5BL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R32800D-5BL-TR

частина: 10577

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS46DR16160B-3DBLA2-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46DR16160B-3DBLA2-TR

частина: 9746

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS42SM32800K-75BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42SM32800K-75BLI

частина: 9686

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань
IS43LR16160G-6BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LR16160G-6BLI

частина: 8899

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43DR86400C-3DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR86400C-3DBLI-TR

частина: 10125

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань