Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Пам'ять

IS43DR16640C-3DBI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR16640C-3DBI-TR

частина: 97

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43R16320F-5BL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R16320F-5BL-TR

частина: 39

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43LR16160G-6BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LR16160G-6BLI-TR

частина: 9999

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS64WV2568EDBLL-10CTLA3
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS64WV2568EDBLL-10CTLA3

частина: 148

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 2Mb (256K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS43LR32800G-6BL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LR32800G-6BL

частина: 8910

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43R16160D-5BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R16160D-5BLI-TR

частина: 11469

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43DR16640C-25DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR16640C-25DBLI-TR

частина: 70

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS62WV51216EALL-55BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV51216EALL-55BLI-TR

частина: 14480

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань
IS62WV10248DBLL-55MLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV10248DBLL-55MLI-TR

частина: 13077

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань
IS43TR81280B-107MBL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR81280B-107MBL-TR

частина: 10565

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Тактова частота: 933MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43R86400E-6BL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R86400E-6BL-TR

частина: 88

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS46R16160F-6BLA1
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46R16160F-6BLA1

частина: 11131

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS42RM32400H-75BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42RM32400H-75BLI

частина: 12096

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань
IS43R16320F-6BL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R16320F-6BL

частина: 112

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS45S16800F-7BLA2-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16800F-7BLA2-TR

частина: 12116

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS42S32800J-7BL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32800J-7BL-TR

частина: 11239

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS45S32400F-6TLA2
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S32400F-6TLA2

частина: 9941

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань
IS43TR16128CL-15HBL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR16128CL-15HBL-TR

частина: 10181

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3L, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 667MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43R16160D-6BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R16160D-6BLI

частина: 10483

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS42SM16160K-75BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42SM16160K-75BLI-TR

частина: 12117

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань
IS43TR16640BL-125KBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR16640BL-125KBLI

частина: 150

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3L, Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16), Тактова частота: 800MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS46R16160F-6BLA2-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46R16160F-6BLA2-TR

частина: 10507

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS45S16800F-7CTLA2-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16800F-7CTLA2-TR

частина: 10271

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS45S16160G-6CTLA1-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16160G-6CTLA1-TR

частина: 11336

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань
IS43LR16320C-6BL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LR16320C-6BL-TR

частина: 9171

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS46DR16320E-25DBLA2
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46DR16320E-25DBLA2

частина: 75

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43R32800D-6BL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R32800D-6BL

частина: 10112

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43R16320F-5BL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R16320F-5BL

частина: 56

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS42SM16160K-6BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42SM16160K-6BLI-TR

частина: 11550

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань
IS43R16160F-6BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R16160F-6BLI

частина: 8835

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS62WV51216EALL-55TLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV51216EALL-55TLI-TR

частина: 13267

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань
IS25LP256D-JMLE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LP256D-JMLE

частина: 3183

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 800µs,

Список побажань
IS45S32400F-7BLA2-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S32400F-7BLA2-TR

частина: 10723

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS43R83200D-5TL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R83200D-5TL

частина: 11962

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS42S32800G-6BL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32800G-6BL-TR

частина: 9866

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань
IS42S32400F-6BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32400F-6BLI

частина: 10951

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань