Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Пам'ять

IS43R86400D-5BL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R86400D-5BL-TR

частина: 9219

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS46DR16320D-3DBLA1
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46DR16320D-3DBLA1

частина: 9137

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43DR86400D-25DBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR86400D-25DBLI

частина: 8505

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43R16320E-5BL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R16320E-5BL

частина: 52

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS46DR16160B-25DBLA2-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46DR16160B-25DBLA2-TR

частина: 9295

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43R86400F-6BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R86400F-6BLI

частина: 135

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS45S32800J-7BLA1-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S32800J-7BLA1-TR

частина: 8345

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS46R16160D-6BLA1
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46R16160D-6BLA1

частина: 9433

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43LR32160C-6BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LR32160C-6BLI-TR

частина: 7036

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (16M x 32), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

Список побажань
IS64WV25616EDBLL-10CTLA3
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS64WV25616EDBLL-10CTLA3

частина: 10308

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS45S32400F-6BLA2-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S32400F-6BLA2-TR

частина: 9257

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань
IS43TR16128C-15HBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR16128C-15HBLI

частина: 8530

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 667MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS46DR16320C-25DBLA1-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46DR16320C-25DBLA1-TR

частина: 8667

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS42S32800J-75EBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32800J-75EBL

частина: 9289

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань
IS64WV12816DBLL-12BLA3
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS64WV12816DBLL-12BLA3

частина: 10597

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 2Mb (128K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

Список побажань
IS43DR81280B-25DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR81280B-25DBLI-TR

частина: 9057

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS46R16160D-6TLA1
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46R16160D-6TLA1

частина: 10547

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43DR16320D-3DBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR16320D-3DBLI

частина: 9936

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS25LP512M-RHLE-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LP512M-RHLE-TR

частина: 104

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 133MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 1.6ms,

Список побажань
IS61NLP6432A-200TQLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NLP6432A-200TQLI

частина: 13177

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 2Mb (64K x 32), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань
IS42VM16160K-6BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42VM16160K-6BLI-TR

частина: 11817

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань
IS42S32800J-7TLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32800J-7TLI-TR

частина: 10449

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS46DR16160B-25DBLA1-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46DR16160B-25DBLA1-TR

частина: 11586

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43R16320F-5BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R16320F-5BLI-TR

частина: 114

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS46R16160F-5BLA1-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46R16160F-5BLA1-TR

частина: 12329

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS45S16160G-6TLA1
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16160G-6TLA1

частина: 11206

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань
IS45S16160J-7TLA2-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16160J-7TLA2-TR

частина: 11918

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS42RM16160K-6BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42RM16160K-6BLI-TR

частина: 11527

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань
IS42RM32400H-6BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42RM32400H-6BLI

частина: 11590

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань
IS64WV12816DBLL-12CTLA3-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS64WV12816DBLL-12CTLA3-TR

частина: 13777

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 2Mb (128K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

Список побажань
IS64WV2568EDBLL-10BLA3-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS64WV2568EDBLL-10BLA3-TR

частина: 155

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 2Mb (256K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS62WV10248BLL-55BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV10248BLL-55BLI

частина: 12652

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (1M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань
IS43R16320E-5BL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R16320E-5BL-TR

частина: 102

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43R86400F-5BL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R86400F-5BL

частина: 83

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS42SM32400H-75BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42SM32400H-75BLI

частина: 12181

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань
IS43R16320F-6BL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R16320F-6BL-TR

частина: 71

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань