Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Пам'ять

IS64WV12816EDBLL-10BLA3
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS64WV12816EDBLL-10BLA3

частина: 72

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 2Mb (128K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS34ML01G081-BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS34ML01G081-BLI

частина: 1337

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND (SLC), Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

Список побажань
IS43TR16128B-15HBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR16128B-15HBL

частина: 12349

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16), Тактова частота: 667MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS64WV12816DBLL-12CTLA3
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS64WV12816DBLL-12CTLA3

частина: 12302

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 2Mb (128K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

Список побажань
IS46DR16320D-3DBLA1-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46DR16320D-3DBLA1-TR

частина: 10488

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS45S16160G-7BLA1
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16160G-7BLA1

частина: 10034

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS43LR16160G-6BL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LR16160G-6BL-TR

частина: 10879

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS45S16800F-7BLA2
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16800F-7BLA2

частина: 10860

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS34MW01G164-BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS34MW01G164-BLI

частина: 1420

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NAND (SLC), Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

Список побажань
IS62WV51216EFBLL-45BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV51216EFBLL-45BLI

частина: 101

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань
IS64WV12816DBLL-12BLA3-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS64WV12816DBLL-12BLA3-TR

частина: 11939

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 2Mb (128K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

Список побажань
IS45S16160J-7CTLA2-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16160J-7CTLA2-TR

частина: 10942

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань
IS62WV51216GBLL-45TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV51216GBLL-45TLI

частина: 111

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

Список побажань
IS66WVE4M16ECLL-70BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS66WVE4M16ECLL-70BLI

частина: 13198

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань
IS42SM16160K-6BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42SM16160K-6BLI

частина: 10339

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань
IS61LV25616AL-10TI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LV25616AL-10TI

частина: 12350

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань
IS45S16160G-6TLA1 -TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16160G-6TLA1 -TR

частина: 12210

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань
IS43TR16640B-125KBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR16640B-125KBLI

частина: 103

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16), Тактова частота: 800MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS61NLF25618EC-7.5TQLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NLF25618EC-7.5TQLI-TR

частина: 11586

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 4.5Mb (256K x 18), Тактова частота: 117MHz,

Список побажань
IS46DR16640C-25DBLA1-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46DR16640C-25DBLA1-TR

частина: 99

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43DR16320C-25DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR16320C-25DBLI-TR

частина: 10385

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43DR81280C-25DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR81280C-25DBLI-TR

частина: 137

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (128M x 8), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS66WVE4M16EBLL-55BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS66WVE4M16EBLL-55BLI

частина: 14092

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: PSRAM, Технологія: PSRAM (Pseudo SRAM), Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань
IS46DR16640C-3DBLA1-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46DR16640C-3DBLA1-TR

частина: 147

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16), Тактова частота: 333MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS41LV16100D-50KLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS41LV16100D-50KLI

частина: 90

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM - EDO, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16),

Список побажань
IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR

частина: 15290

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 8ns,

Список побажань
IS64WV6416BLL-15TLA3
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS64WV6416BLL-15TLA3

частина: 14111

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 1Mb (64K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS46DR16160B-25DBLA1
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46DR16160B-25DBLA1

частина: 10110

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR2, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 400MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS42S83200G-6TL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S83200G-6TL

частина: 11422

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань
IS43R86400F-6BL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R86400F-6BL

частина: 105

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43TR16640B-15GBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR16640B-15GBLI-TR

частина: 11498

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16), Тактова частота: 667MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43R16160D-5BL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43R16160D-5BL

частина: 11626

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS43LR16160G-6BL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LR16160G-6BL

частина: 9860

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile LPDDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 166MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS46R16160D-5TLA1
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46R16160D-5TLA1

частина: 10013

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 200MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань
IS42VM16160K-6BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42VM16160K-6BLI

частина: 10598

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань
IS42RM16160K-75BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42RM16160K-75BLI

частина: 10855

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 256Mb (16M x 16), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань