Пам'ять | Інтегральні схеми (ІС) | 100

IS42RM32800D-75BL-TR

частина: 5381

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16400J-6TLA2-TR

частина: 8402

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S32400E-7TLA1-TR

частина: 8936

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16800E-6BLA1-TR

частина: 8400

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32800D-75EB-TR

частина: 4867

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16320F-6TLA1-TR

частина: 4978

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 167MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16400F-7BLA2

частина: 8262

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 64Mb (4M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS49NLC36160-25BI

частина: 146

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 576Mb (16M x 36), Тактова частота: 400MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS49NLC18320-33BLI

частина: 123

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 576Mb (32M x 18), Тактова частота: 300MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS41LV16105C-50TLI-TR

частина: 3011

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM - FP, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16),

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S32800D-6BLA1-TR

частина: 8936

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S32400E-6BLA1-TR

частина: 8697

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (4M x 32), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32160B-75ETLI

частина: 4726

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (16M x 32), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NLF102418-7.5TQLI

частина: 2209

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 117MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS49NLS18160-25B

частина: 939

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 288Mb (16M x 18), Тактова частота: 400MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR85120A-15HBLI

частина: 4533

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 4Gb (512M x 8), Тактова частота: 667MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NLP25636B-200B3LI

частина: 162

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 9Mb (256K x 36), Тактова частота: 200MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16100F-7BL

частина: 3828

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LQ010A-JDLE-TR

частина: 2070

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Тактова частота: 80MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 400µs,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61VPS102436A-166TQL

частина: 2764

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 36Mb (1M x 36), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS49NLC18320-25BL

частина: 9964

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 576Mb (32M x 18), Тактова частота: 400MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16320B-6BL-TR

частина: 4276

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 512Mb (32M x 16), Тактова частота: 166MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS49NLS18320-33B

частина: 6200

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 576Mb (32M x 18), Тактова частота: 300MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42SM32160C-75BL

частина: 5279

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 512Mb (16M x 32), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LQ512A-JDLE

частина: 2283

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Kb (64K x 8), Тактова частота: 80MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 400µs,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61QDB41M36A-250M3L

частина: 2629

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QUAD, Обсяг пам'яті: 36Mb (1M x 36), Тактова частота: 250MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS49NLS93200-25BLI

частина: 6208

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: DRAM, Обсяг пам'яті: 288Mb (32M x 9), Тактова частота: 400MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LD040-JNLE-TR

частина: 2083

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH, Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Тактова частота: 100MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61VF102418A-7.5B3I-TR

частина: 2130

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 117MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LQ512A-JDLE-TR

частина: 2235

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Kb (64K x 8), Тактова частота: 80MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 400µs,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32800D-75EBLI

частина: 4916

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 256Mb (8M x 32), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16100F-7BL-TR

частина: 3930

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV102416EDBLL-10B2LI

частина: 124

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42SM16800G-75BLI-TR

частина: 5250

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - Mobile, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 133MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S16800E-7BLA1

частина: 8452

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM, Обсяг пам'яті: 128Mb (8M x 16), Тактова частота: 143MHz,

Список побажань

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46TR16640A-125JBLA1

частина: 7373

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: DRAM, Технологія: SDRAM - DDR3, Обсяг пам'яті: 1Gb (64M x 16), Тактова частота: 800MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 15ns,

Список побажань