Пам'ять

CY14B104M-ZSP45XIT

частина: 3588

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

IS29GL128S-10DHB02-TR

частина: 812

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

CP5884AF

частина: 519

IS29GL256S-10TFV02

частина: 7759

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

CG8310AAT

частина: 1619

CG8690AAT

частина: 2384

S25FL128P0XMFI001M

частина: 925

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3µs,

CG8096AAT

частина: 2244

CY15B102Q-SXE

частина: 5725

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FRAM, Технологія: FRAM (Ferroelectric RAM), Обсяг пам'яті: 2Mb (256K x 8), Тактова частота: 25MHz,

CY14E256LA-SZ45XI

частина: 4037

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

CG8276AA

частина: 41812

CG8200AA

частина: 10027

IS29GL128S-10TFV01-TR

частина: 7603

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

S25FL129P0XMFI001M

частина: 1036

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5µs, 3ms,

S25FL129P0XNFI000M

частина: 1276

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5µs, 3ms,

CY14B101KA-SP25XIT

частина: 4093

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

IS29GL128S-10TFV02

частина: 7623

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

CY7C1371KV33-100AXCT

частина: 3583

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 100MHz,

CY7C09349AV-12AXC

частина: 3780

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Dual Port, Synchronous, Обсяг пам'яті: 72Kb (4K x 18), Тактова частота: 50MHz,

CY7C1314KV18-250BZCT

частина: 3759

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 250MHz,

CY7C1051DV33-12ZSXIT

частина: 4019

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

CY14B101NA-ZS25XI

частина: 3423

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (64K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

IS29GL256S-10DHB01

частина: 7642

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

S30MS01GR25TFW100

частина: 8513

S99FL128P0XMFI001

частина: 2144

CY14B101LA-SZ25XIT

частина: 3818

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,

IS29GL512S-11TFV02-TR

частина: 7893

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

S30MS01GR25TFW110

частина: 8595

IS29GL512S-11DHV02

частина: 9085

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 512Mb (64M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

IS29GL128S-10DHV01

частина: 7579

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

CY14B104LA-BA45XIT

частина: 3833

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 4Mb (512K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

CG8606AAT

частина: 2043

CG8402AAT

частина: 1665

CG8371AA

частина: 481

CG8265AAT

частина: 298

CY14B101LA-ZS25XI

частина: 3420

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 25ns,