Пам'ять

CY7C1382DV33-167BZI

частина: 3168

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 167MHz,

CY7C1320KV18-250BZCT

частина: 3197

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, DDR II, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 250MHz,

CY7C1387D-167BZI

частина: 3120

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (1M x 18), Тактова частота: 167MHz,

CY7C1380KV33-167BZIT

частина: 2990

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 167MHz,

CY7C1315KV18-250BZIT

частина: 143

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Synchronous, QDR II, Обсяг пам'яті: 18Mb (512K x 36), Тактова частота: 250MHz,

S99-50481

частина: 2556

CY62167EV18LL-55BVI

частина: 3043

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

CG7905AA

частина: 4505

CG8317AAT

частина: 1751

CG8314AA

частина: 1470

CG8019AA

частина: 2386

CG8105AA

частина: 2420

S30MS01GP25TFW000

частина: 842

S70GL02GS11FHA010

частина: 165

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 2Gb (128M x 16),

CG8350AAT

частина: 501

S30MS01GR25TFW010

частина: 8090

IS29GL256S-10DHB02-TR

частина: 7752

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 256Mb (32M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

S70GL02GT11FHV010

частина: 3453

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

IS29GL128S-10DHV02-TR

частина: 774

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

CG8316AAT

частина: 1807

IS29GL128S-10DHV01-TR

частина: 7638

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

CG8273AA

частина: 448

IS29GL128S-10DHB01

частина: 7542

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 60ns,

CG8245AA

частина: 2035

CY7C1061G30-10BV1XET

частина: 3920

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 10ns,

CY14V104NA-BA45XIT

частина: 3530

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: NVSRAM, Технологія: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

CG8120AAT

частина: 1600

S30ML512P50TFI513

частина: 8529

CG7925AM

частина: 2102

S30ML02GP30TFI500

частина: 7947

S25FL128P0XMFI011S

частина: 987

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 128Mb (16M x 8), Тактова частота: 104MHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 3µs,

CG8534AAT

частина: 2018

CG8244AA

частина: 169

S70GL02GT12FHIV20

частина: 143

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: FLASH, Технологія: FLASH - NOR, Обсяг пам'яті: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

CY62167G18-55BVXI

частина: 4054

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM - Asynchronous, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

S30ML02GP50TFI013

частина: 7980