Оптичні датчики - відбивні - аналоговий вихід

TCRT1000

TCRT1000

частина: 58154

Зондування відстані: 0.157" (4mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 32V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
TCRT5000L

TCRT5000L

частина: 58186

Зондування відстані: 0.591" (15mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 70V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 60mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
OPB746WZ

OPB746WZ

частина: 4366

Зондування відстані: 0.300" (7.62mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Transistor, Base-Emitter Resistor,

До побажання
OPB704

OPB704

частина: 30593

Зондування відстані: 0.149" (3.8mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
OPB70DWZ

OPB70DWZ

частина: 16552

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Transistor,

До побажання
OPB607C

OPB607C

частина: 65767

Зондування відстані: 0.050" (1.27mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 125mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Photodarlington,

До побажання
OPB730F

OPB730F

частина: 9297

Зондування відстані: 0.250" (6.35mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Photodarlington,

До побажання
OPB705WZ

OPB705WZ

частина: 21773

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
OPB732W

OPB732W

частина: 2761

Зондування відстані: 3" (76.2mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
OPB606B

OPB606B

частина: 71504

Зондування відстані: 0.050" (1.27mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
OPB609GU

OPB609GU

частина: 2766

Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
OPB742WZ

OPB742WZ

частина: 21355

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
OPB741

OPB741

частина: 31506

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
OPB744

OPB744

частина: 27479

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
OPB700ALZ

OPB700ALZ

частина: 8398

Зондування відстані: 0.200" (5.08mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 24V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 100mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
OPB755T

OPB755T

частина: 2758

Зондування відстані: 0.220" (5.59mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 24V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
OPB710

OPB710

частина: 9045

Зондування відстані: 0.250" (6.35mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
QRB1113

QRB1113

частина: 2703

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
QRB1114

QRB1114

частина: 2747

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
QRC1133

QRC1133

частина: 2700

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
ITR20001/T

ITR20001/T

частина: 146389

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
ITR8307/L24/TR8

ITR8307/L24/TR8

частина: 160874

Зондування відстані: 0.039" (1mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
EAITRCA8

EAITRCA8

частина: 140638

Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
ITR8307/F43

ITR8307/F43

частина: 144812

Зондування відстані: 0.039" (1mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
SFH 9202-2/3-Z

SFH 9202-2/3-Z

частина: 2766

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
SFH 9201-Z

SFH 9201-Z

частина: 2734

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
CNB10112

CNB10112

частина: 2697

Зондування відстані: 0.039" (1mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 30mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
HBCS-1100

HBCS-1100

частина: 2727

Зондування відстані: 0.168" (4.27mm), Метод зондування: Reflective, Струм - колектор (Ic) (макс.): 8mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
LTH-1550-06

LTH-1550-06

частина: 2713

Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 60mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
EE-SY110

EE-SY110

частина: 15782

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
EE-SF5

EE-SF5

частина: 2766

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
Z4D-A03

Z4D-A03

частина: 2778

До побажання
HOA1406-001

HOA1406-001

частина: 2499

Зондування відстані: 0.120" (3.05mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
RPR-220

RPR-220

частина: 39202

Зондування відстані: 0.236" (6mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 30mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання