Оптичні датчики - відбивні - аналоговий вихід

OPB708

частина: 33527

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Phototransistor,

OPB755N

частина: 2717

Зондування відстані: 0.220" (5.59mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 24V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

OPB740

частина: 37779

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Phototransistor,

OPB750T

частина: 17828

Зондування відстані: 0.220" (5.59mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 24V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

OPB741WZ

частина: 19773

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Phototransistor,

OPB755TAZ

частина: 16927

Зондування відстані: 0.220" (5.59mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 24V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

OPB608V

частина: 7738

Зондування відстані: 0.050" (1.27mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 12mA, Тип виходу: Phototransistor,

OPB710F

частина: 9140

Зондування відстані: 0.250" (6.35mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

OPB702R

частина: 29649

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Transistor, Base-Emitter Resistor,

OPB742W

частина: 2735

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Phototransistor,

OPB706C

частина: 43602

Зондування відстані: 0.050" (1.27mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 24V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

CNB13020S0LF

частина: 2748

Зондування відстані: 0.039" (1mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

RPR-220PC30N

частина: 11549

Зондування відстані: 0.236" (6mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 30mA, Тип виходу: Phototransistor,

Z4D-F04A

частина: 151

EE-SY124

частина: 2709

Зондування відстані: 0.039" (1mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

EE-SY1200

частина: 48893

Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

EE-SY201

частина: 2779

Зондування відстані: 0.157" (4mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 24V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 15mA, Тип виходу: Photodarlington,

QRD1113

частина: 38545

Зондування відстані: 0.050" (1.27mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

QRC1113

частина: 2734

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

QRB1133

частина: 2798

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

QRB1134

частина: 2734

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

EAITRDA7

частина: 191169

Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

ITR8307/TR8

частина: 157364

Зондування відстані: 0.039" (1mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

ITR8307

частина: 182031

Зондування відстані: 0.039" (1mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

HOA2498-002

частина: 6173

Зондування відстані: 0.250" (6.35mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

HOA1397-031

частина: 2711

Зондування відстані: 0.05" (1.27mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 20mA, Тип виходу: Phototransistor,

HOA1405-001

частина: 11061

Зондування відстані: 0.2" (5.08mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

SFH 9202-Z

частина: 4343

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

SFH 9206

частина: 173263

Зондування відстані: 0.039" ~ 0.197" (1mm ~ 5mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 16V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

SFH 7072

частина: 50007

Метод зондування: Reflective, Тип виходу: Photodiode,

GP2A230LRSAF

частина: 2719

Зондування відстані: 0.039" ~ 0.354" (1mm ~ 9mm) ADJ, Метод зондування: Reflective, Тип виходу: Photodiode,

GP2S60

частина: 184335

Зондування відстані: 0.028" (0.7mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

GP2S27TJ000F

частина: 2724

Зондування відстані: 0.028" (0.7mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

GP2S24CJ000F

частина: 2724

Зондування відстані: 0.028" (0.7mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

TCND5000

частина: 63285

Зондування відстані: 0.079" ~ 0.984" (2mm ~ 25mm) ADJ, Метод зондування: Reflective, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 100mA, Тип виходу: PIN Photodiode,

VCNT2020

частина: 114

Зондування відстані: 0.02" (0.5mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 20V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 100mA, Тип виходу: Phototransistor,