Оптичні датчики - відбивні - аналоговий вихід

CNB13020S

частина: 2734

Зондування відстані: 0.039" (1mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

GP2S60A

частина: 2778

Зондування відстані: 0.028" (0.7mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

GP2S27T3J00F

частина: 2727

Зондування відстані: 0.028" (0.7mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

GP2S24

частина: 4283

Зондування відстані: 0.031" (0.8mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

GP2L24BCJ00F

частина: 2763

Зондування відстані: 0.028" (0.7mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Photodarlington,

GP2L24BJ00F

частина: 2769

Зондування відстані: 0.028" (0.7mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Photodarlington,

GP2S28

частина: 2729

Зондування відстані: 0.551" (14mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 60mA, Тип виходу: Phototransistor,

OPB755TZ

частина: 12878

Зондування відстані: 0.220" (5.59mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 24V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

OPB744W

частина: 2774

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Phototransistor,

OPB706A

частина: 39866

Зондування відстані: 0.050" (1.27mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 24V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

OPB743W

частина: 4313

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Phototransistor,

OPB739RWZ

частина: 5303

Зондування відстані: 0.015" ~ 0.045" (0.38mm ~ 1.14mm) ADJ, Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Phototransistor,

OPB740W

частина: 4359

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Phototransistor,

OPB712

частина: 27713

Зондування відстані: 0.080" (2.03mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 125mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Photodarlington,

OPB703WZ

частина: 21166

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Phototransistor,

OPR5005TR

частина: 23833

Зондування відстані: 0.050" (1.27mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

OPB732

частина: 20066

Зондування відстані: 3" (76.2mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

SFH 7070

частина: 61573

Метод зондування: Reflective, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 25mA, Тип виходу: Photodiode,

RPR-220UC30N

частина: 27157

Зондування відстані: 0.236" (6mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 30mA, Тип виходу: Phototransistor,

EE-SY113

частина: 12359

Зондування відстані: 0.173" (4.4mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

EE-SY125

частина: 2778

Зондування відстані: 0.039" (1mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

EE-SY171

частина: 18679

Зондування відстані: 0.138" (3.5mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

EE-SY169

частина: 3710

Зондування відстані: 0.157" (4mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Phototransistor,

MTRS1070

частина: 15471

Зондування відстані: 1.5mm, Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 20V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

MTRS4720D

частина: 13002

Зондування відстані: 1.5mm, Метод зондування: Reflective, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 20mA, Тип виходу: Photodiode,

EAITRCA6

частина: 10294

Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

ITR8307/L24

частина: 194894

Зондування відстані: 0.039" (1mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

GP2S700HCP

частина: 51616

Зондування відстані: 0.217" (5.5mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

HOA1397-001

частина: 11854

Зондування відстані: 0.05" (1.27mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 20mA, Тип виходу: Phototransistor,

HOA0708-011

частина: 10491

Зондування відстані: 0.15" (3.8mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 40mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

HOA1180-001

частина: 3479

Зондування відстані: 0.250" (6.35mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Photodarlington,

QRE1113

частина: 57727

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

TALP3001

частина: 2764

LTH-209-01

частина: 106253

Зондування відстані: 0.125" (3.18mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

KU163C-TR

частина: 2739

Зондування відстані: 0.039" (1mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 20V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 20mA, Тип виходу: Phototransistor,

TCRT5000

частина: 58184

Зондування відстані: 0.591" (15mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 70V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 60mA, Тип виходу: Phototransistor,