Оптичні датчики - відбивні - аналоговий вихід

MTRS5900D

частина: 12999

Зондування відстані: 1.5mm, Метод зондування: Reflective, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 30mA, Тип виходу: Photodiode,

MTRS6140D

частина: 15518

Зондування відстані: 1.5mm, Метод зондування: Reflective, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 30mA, Тип виходу: Photodiode,

PC50CNP06RP

частина: 147

Зондування відстані: 236.2" (6m), Метод зондування: Reflective,

PC50CNR10RP

частина: 122

Зондування відстані: 393.701" (10m), Метод зондування: Reflective,

OPB70HWZ

частина: 21699

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Transistor,

OPB70AWZ

частина: 18874

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Darlington,

OPB747WZ

частина: 2766

Зондування відстані: 0.300" (7.62mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Transistor, Base-Emitter Resistor,

OPB732WZ

частина: 15744

Зондування відстані: 3" (76.2mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

OPB608C

частина: 51641

Зондування відстані: 0.050" (1.27mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

OPB741W

частина: 2720

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Phototransistor,

OPB70EWZ

частина: 18687

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Transistor,

OPB742

частина: 33637

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Phototransistor,

OPB743WZ

частина: 20862

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Phototransistor,

OPB755NZ

частина: 2712

Зондування відстані: 0.220" (5.59mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 24V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

OPB701Z

частина: 7740

Зондування відстані: 0.200" (5.08mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 100mA, Тип виходу: Photodarlington,

OPR5005

частина: 21984

Зондування відстані: 0.050" (1.27mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

OPB744WZ

частина: 18838

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Phototransistor,

OPB608R

частина: 47308

Зондування відстані: 0.050" (1.27mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

Z4D-A01

частина: 4329

Зондування відстані: 0.256" (6.5mm), Метод зондування: Reflective,

EE-SB5-B

частина: 10268

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

ITR9909

частина: 149323

Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

ITR8307/L24/F43

частина: 163178

Зондування відстані: 0.039" (1mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

HOA0708-107

частина: 15421

Зондування відстані: 0.15" (3.8mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 40mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

HOA0149-500

частина: 2735

Зондування відстані: 0.15" (3.8mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

HOA0149-001

частина: 13019

Зондування відстані: 0.200" (5.08mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

CNB10010SL

частина: 2753

Зондування відстані: 0.039" (1mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

CNB2301

частина: 2755

Зондування відстані: 0.039" (1mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 20V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Photodarlington,

CNB10010LL

частина: 2692

Зондування відстані: 0.039" (1mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

CNY70

частина: 52694

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 32V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

QRD1114

частина: 39835

Зондування відстані: 0.050" (1.27mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

QRD1313

частина: 2740

Зондування відстані: 0.050" (1.27mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Photodarlington,

HEDS-1500

частина: 2754

Зондування відстані: 0.168" (4.27mm), Метод зондування: Reflective, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Photodiode,

LTH-1550-01

частина: 183477

Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 60mA, Тип виходу: Phototransistor,

GP2S24BJ000F

частина: 2701

Зондування відстані: 0.028" (0.7mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

GP2S40

частина: 2756

Зондування відстані: 0.256" (6.5mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

E2RA-RN11 2M

частина: 2681