Оптичні датчики - відбивні - аналоговий вихід

EAITRBA6

EAITRBA6

частина: 144280

Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
SFH 9201

SFH 9201

частина: 2748

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
GP2S24J0000F

GP2S24J0000F

частина: 4326

Зондування відстані: 0.028" (0.7mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
GP2S40J0000F

GP2S40J0000F

частина: 2712

Зондування відстані: 0.138" (3.5mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
GP2L24ABJ00F

GP2L24ABJ00F

частина: 2712

Зондування відстані: 0.028" (0.7mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Photodarlington,

До побажання
GP2L26

GP2L26

частина: 2756

Зондування відстані: 0.031" (0.8mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Photodarlington,

До побажання
GP2S24BCJ00F

GP2S24BCJ00F

частина: 2737

Зондування відстані: 0.028" (0.7mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
GP2S27T2J00F

GP2S27T2J00F

частина: 4345

Зондування відстані: 0.028" (0.7mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
HOA1404-002

HOA1404-002

частина: 4777

Зондування відстані: 0.2" (5.08mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
HOA0709-011

HOA0709-011

частина: 9074

Зондування відстані: 0.15" (3.8mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 40mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Photodarlington,

До побажання
HOA1397-002

HOA1397-002

частина: 11011

Зондування відстані: 0.050" (1.27mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 60mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
HOA1405-002

HOA1405-002

частина: 11462

Зондування відстані: 0.2" (5.08mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
HLC1395-002

HLC1395-002

частина: 18721

Зондування відстані: 0.040" (1.02mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
HOA0709-001

HOA0709-001

частина: 11523

Зондування відстані: 0.15" (3.8mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 40mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Photodarlington,

До побажання
OPB700Z

OPB700Z

частина: 9335

Зондування відстані: 0.200" (5.08mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 24V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 100mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
OPB608B

OPB608B

частина: 51569

Зондування відстані: 0.050" (1.27mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
OPB608A

OPB608A

частина: 51248

Зондування відстані: 0.050" (1.27mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
OPB607A

OPB607A

частина: 58586

Зондування відстані: 0.050" (1.27mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 125mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Photodarlington,

До побажання
OPB701AL

OPB701AL

частина: 4490

Зондування відстані: 0.200" (5.08mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 100mA, Тип виходу: Photodarlington,

До побажання
OPB700AL

OPB700AL

частина: 5308

Зондування відстані: 0.200" (5.08mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 24V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 100mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
OPB70CWZ

OPB70CWZ

частина: 4369

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Transistor,

До побажання
OPB702

OPB702

частина: 28577

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
OPB740WZ

OPB740WZ

частина: 21977

Зондування відстані: 0.150" (3.81mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
EE-SF5-B

EE-SF5-B

частина: 8947

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
EE-SY191

EE-SY191

частина: 2757

Зондування відстані: 0.178" (4.5mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
PMP12RI

PMP12RI

частина: 146

Зондування відстані: 472.4" (12m) 39.4', Метод зондування: Reflective,

До побажання
OPB704W

OPB704W

частина: 2756

Зондування відстані: 0.200" (5.08mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 40mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
QRE1113GR

QRE1113GR

частина: 178615

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
MTRS9520

MTRS9520

частина: 14295

Зондування відстані: 1.5mm, Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 20V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 60mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
MTRS5750D

MTRS5750D

частина: 12953

Зондування відстані: 1.5mm, Метод зондування: Reflective, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 30mA, Тип виходу: Photodiode,

До побажання
CNB13020R

CNB13020R

частина: 2766

Зондування відстані: 0.039" (1mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
CNB10010WL

CNB10010WL

частина: 2683

Зондування відстані: 0.039" (1mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
LTH-301-23

LTH-301-23

частина: 2720

Зондування відстані: 0.2" (5.08mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 60mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
HSDL-9100-024

HSDL-9100-024

частина: 74383

Зондування відстані: 0.197" (5mm), Метод зондування: Reflective, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 100mA, Тип виходу: Photodiode,

До побажання
TCRT1010

TCRT1010

частина: 56364

Зондування відстані: 0.157" (4mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 32V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання
RPR-359F

RPR-359F

частина: 50797

Зондування відстані: 0.138" (3.5mm), Метод зондування: Reflective, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Струм - вперед постійного струму (якщо) (макс.): 50mA, Тип виходу: Phototransistor,

До побажання