Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - маси

DMN601DWK-7

частина: 176941

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 305mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

До побажання

DMN5L06DMK-7

частина: 107540

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 305mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

До побажання

DMN2050LFDB-7

частина: 105819

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

До побажання

DMN2004DMK-7

частина: 125678

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 540mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

До побажання

SQJB70EP-T1_GE3

частина: 113439

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3.5V @ 250µA,

До побажання

SI4936BDY-T1-E3

частина: 168524

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

До побажання

SI1965DH-T1-E3

частина: 100544

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

До побажання

SIA911ADJ-T1-GE3

частина: 139873

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

До побажання

SQJ990EP-T1_GE3

частина: 141592

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6A, 10V, 19 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

До побажання

SQ1563AEH-T1_GE3

частина: 2535

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 850mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 850mA, 4.5V, 575 mOhm @ 800mA, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 250µA,

До побажання

SIA537EDJ-T1-GE3

частина: 157576

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5.2A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

До побажання

SI5513CDC-T1-GE3

частина: 193923

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A, 3.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 250µA,

До побажання

SQJQ904E-T1_GE3

частина: 54848

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3.5V @ 250µA,

До побажання

SI1926DL-T1-E3

частина: 150474

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 370mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 340mA, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

До побажання

SI7212DN-T1-E3

частина: 57376

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.6V @ 250µA,

До побажання

IRF9956TRPBF

частина: 162504

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

До побажання

IRF7301TRPBF

частина: 199318

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.6A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 700mV @ 250µA,

До побажання

IRF3575DTRPBF

частина: 34855

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 303A (Tc),

До побажання

IRF7324TRPBF

частина: 97929

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

До побажання

IPG20N06S2L35ATMA1

частина: 145368

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2V @ 27µA,

До побажання

IRF7103TRPBF

частина: 149977

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

IPG20N06S2L50ATMA1

частина: 152225

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2V @ 19µA,

До побажання

Rohm Semiconductor

SH8J31GZETB

частина: 96459

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 1mA,

До побажання

Rohm Semiconductor

SH8J62TB1

частина: 138723

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

До побажання

Rohm Semiconductor

EM6M1T2R

частина: 166276

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100mA, 200mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V,

До побажання

SSM6N57NU,LF

частина: 182932

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 1mA,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8407,LQ(S

частина: 151036

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9A, 7.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.3V @ 100µA,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002CFU,LF

частина: 164511

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 170mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.1V @ 250µA,

До побажання

NTMD4N03R2G

частина: 117636

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

До побажання

FDS6911

частина: 99941

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

До побажання

FDMD8630

частина: 2633

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 38A (Ta), 167A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 38A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

До побажання

FDS6975

частина: 115211

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

До побажання

FDS4897C

частина: 170499

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.2A, 4.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6.2A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

До побажання