Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - маси

SP8K2TB

частина: 195188

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

До побажання

SH8K15TB1

частина: 137046

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

До побажання

QS8K11TCR

частина: 198738

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

До побажання

US6M1TR

частина: 141982

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.4A, 1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

До побажання

SH8M13GZETB

частина: 173570

Тип FET: N and P-Channel, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A, 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

До побажання

SI1965DH-T1-GE3

частина: 150223

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

До побажання

SI1016X-T1-GE3

частина: 135127

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 485mA, 370mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

До побажання

SI6926ADQ-T1-E3

частина: 129467

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

До побажання

SI1023CX-T1-GE3

частина: 136072

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 756 mOhm @ 350mA, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

До побажання

SQ3989EV-T1_GE3

частина: 124228

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 400mA, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 250µA,

До побажання

SI4670DY-T1-GE3

частина: 139899

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.2V @ 250µA,

До побажання

SIZ300DT-T1-GE3

частина: 146800

Тип FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A, 28A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 9.8A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.4V @ 250µA,

До побажання

SI7540ADP-T1-GE3

частина: 87195

Тип FET: N and P-Channel, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A, 9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.4V @ 250µA,

До побажання

SI4943CDY-T1-E3

частина: 89694

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2 mOhm @ 8.3A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

До побажання

SQJ992EP-T1_GE3

частина: 130455

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 15A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56.2 mOhm @ 3.7A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

До побажання

SQJ570EP-T1_GE3

частина: 165202

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 15A (Tc), 9.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 6A, 10V, 146 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

До побажання

SI5902BDC-T1-GE3

частина: 125173

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

До побажання

Taiwan Semiconductor Corporation

SQ1539EH-T1_GE3

частина: 2491

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 850mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 1A, 10V, 940 mOhm @ 500mA, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.6V @ 250µA,

До побажання

Diodes Incorporated

DMN67D8LDW-13

частина: 104906

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 230mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

До побажання

Diodes Incorporated

DMN2005DLP4K-7

частина: 162696

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 300mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 900mV @ 100µA,

До побажання

Texas Instruments

CSD85302L

частина: 146505

Тип FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функція FET: Standard,

До побажання

Texas Instruments

CSD86360Q5D

частина: 67326

Тип FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 50A, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.1V @ 250µA,

До побажання

TSM200N03DPQ33 RGG

частина: 2506

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

До побажання

FDMA1023PZ

частина: 100824

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 250µA,

До побажання

FDS8958B

частина: 194401

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.4A, 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

До побажання

NVMFD5485NLT3G

частина: 94178

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

До побажання

NTJD4158CT1G

частина: 159746

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 250mA, 880mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 100µA,

До побажання

EFC6612R-TF

частина: 157184

Тип FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функція FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

До побажання

IRF7105TRPBF

частина: 196914

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.5A, 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

До побажання

IPG16N10S4L61AATMA1

частина: 195154

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 16A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.1V @ 90µA,

До побажання

IPG20N06S4L14ATMA2

частина: 126778

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.2V @ 20µA,

До побажання