Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - маси

QS8K13TCR

частина: 183897

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

До побажання

SP8K31TB1

частина: 132551

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

До побажання

SH8KA2GZETB

частина: 158789

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

До побажання

SH8K5TB1

частина: 122471

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

До побажання

QS8K21TR

частина: 194558

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 45V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

До побажання

QS8M12TCR

частина: 150953

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

До побажання

SH8M14TB1

частина: 116026

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9A, 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 1mA,

До побажання

IRF7104TRPBF

частина: 104561

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

До побажання

IRF7379TRPBF

частина: 199093

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.8A, 4.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

До побажання

IPG20N10S4L22AATMA1

частина: 108999

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.1V @ 25µA,

До побажання

IRF6802SDTRPBF

частина: 60962

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 16A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.1V @ 35µA,

До побажання

IPG20N06S4L26ATMA1

частина: 197280

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.2V @ 10µA,

До побажання

IRLHS6376TRPBF

частина: 115333

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.1V @ 10µA,

До побажання

IRF7902TRPBF

частина: 168640

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.4A, 9.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.25V @ 25µA,

До побажання

FDS8978

частина: 143107

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

До побажання

NTZD5110NT1G

частина: 185466

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 294mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

До побажання

FDG6322C

частина: 124499

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 220mA, 410mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 250µA,

До побажання

HUFA76413DK8T-F085

частина: 2586

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

До побажання

NTJD5121NT1G

частина: 179833

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 295mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

До побажання

FDPC8012S

частина: 47700

Тип FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 13A, 26A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 12A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.2V @ 250µA,

До побажання

MCH6661-TL-W

частина: 182202

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 188 mOhm @ 900mA, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.6V @ 1mA,

До побажання

Nexperia USA Inc.

PMDPB85UPE,115

частина: 183418

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103 mOhm @ 1.3A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 950mV @ 250µA,

До побажання

Nexperia USA Inc.

PMDT290UNEYL

частина: 2497

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 800mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 950mV @ 250µA,

До побажання

SI4559ADY-T1-E3

частина: 141967

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.3A, 3.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

До побажання

SQ9945BEY-T1_GE3

частина: 163985

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

До побажання

SI7922DN-T1-E3

частина: 86587

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3.5V @ 250µA,

До побажання

Toshiba Semiconductor and Storage

SIA923AEDJ-T1-GE3

частина: 138927

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 3.8A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 900mV @ 250µA,

До побажання

SSM6L12TU,LF

частина: 2495

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 500mA, 4.5V, 260 mOhm @ 250mA, 4V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.1V @ 100µA,

До побажання

DMN63D8LV-7

частина: 151779

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 260mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 250µA,

До побажання

ZDM4306NTC

частина: 2685

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 1mA,

До побажання

DMC2990UDJ-7

частина: 146844

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 450mA, 310mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

До побажання

DMN2050LFDB-13

частина: 178082

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

До побажання