Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - маси

IPG20N06S4L11AATMA1

частина: 94288

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.2V @ 28µA,

IRF7309TRPBF

частина: 150382

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A, 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

IPG20N04S408ATMA1

частина: 104533

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 4V @ 30µA,

IPG20N10S4L35AATMA1

частина: 155833

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.1V @ 16µA,

IPG20N04S412ATMA1

частина: 172931

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 4V @ 15µA,

IPG20N10S436AATMA1

частина: 139478

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3.5V @ 16µA,

SI9926CDY-T1-GE3

частина: 111109

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.3A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 250µA,

SQJ504EP-T1_GE3

частина: 2528

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 8A, 10V, 17 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

SI4816BDY-T1-GE3

частина: 93645

Тип FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.8A, 8.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

SI9945BDY-T1-GE3

частина: 172002

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

SQJ244EP-T1_GE3

частина: 2521

Тип FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Tc), 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 4A, 10V, 4.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

SI6562CDQ-T1-GE3

частина: 161237

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.7A, 6.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 5.7A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 250µA,

SI6913DQ-T1-GE3

частина: 172370

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 5.8A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 900mV @ 400µA,

SI4936CDY-T1-GE3

частина: 170890

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

SQJ202EP-T1_GE3

частина: 136680

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A, 60A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2V @ 250µA,

QS6J11TR

частина: 168987

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 1mA,

EM6K7T2R

частина: 107116

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 200mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 200mA, 2.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 1mA,

QS8K2TR

частина: 107158

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 1mA,

QS6J3TR

частина: 190781

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2V @ 1mA,

FDS8960C

частина: 111818

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 35V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7A, 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

NTLUD3A260PZTAG

частина: 147558

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

EFC2J003NUZTCG

частина: 117536

NTZD3154NT1G

частина: 148850

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 540mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

FDC6312P

частина: 122807

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.3A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 250µA,

FDS6910

частина: 118152

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

NTJD4401NT1G

частина: 126305

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 630mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 250µA,

CSD87333Q3D

частина: 148026

Тип FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функція FET: Logic Level Gate, 5V Drive, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 15A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3 mOhm @ 4A, 8V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.2V @ 250µA,

CSD75208W1015

частина: 129424

Тип FET: 2 P-Channel (Dual) Common Source, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.1V @ 250µA,

DMG9926UDM-7

частина: 140078

Тип FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 8.2A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 900mV @ 250µA,

DMN2400UV-7

частина: 180036

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.33A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 900mV @ 250µA,

DMN6066SSD-13

частина: 191351

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

DMC4040SSD-13

частина: 197787

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.8V @ 250µA,

PMDXB600UNELZ

частина: 153614

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 600mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 950mV @ 250µA,

NX3008NBKS,115

частина: 184047

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 350mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.1V @ 250µA,

EPC2107

частина: 79571

Тип FET: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap), Функція FET: GaNFET (Gallium Nitride), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.7A, 500mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA,

SSM6N7002KFU,LF

частина: 124781

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 300mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.1V @ 250µA,