Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - маси

BSS138DWQ-7

частина: 137105

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 200mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 250µA,

BSS138DWQ-13

частина: 113029

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 200mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 250µA,

BSS138DW-7-F

частина: 105835

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 200mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 250µA,

BSS84V-7

частина: 195633

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 130mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2V @ 1mA,

BSM120D12P2C005

частина: 258

Тип FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функція FET: Silicon Carbide (SiC), Слив до джерела напруги (Vdss): 1200V (1.2kV), Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.7V @ 22mA,

BSM180D12P2C101

частина: 243

Тип FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функція FET: Silicon Carbide (SiC), Слив до джерела напруги (Vdss): 1200V (1.2kV), Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 204A (Tc), Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 4V @ 35.2mA,

BUK7K18-40EX

частина: 171094

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 24.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 4V @ 1mA,

BUK9K89-100E,115

частина: 171088

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.1V @ 1mA,

BSS138BKS,115

частина: 129700

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 320mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 320mA, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.6V @ 250µA,

BUK9K8R7-40EX

частина: 140529

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.1V @ 1mA,

BUK9K45-100E,115

частина: 140499

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 21A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.1V @ 1mA,

BUK9K29-100E,115

частина: 120044

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.1V @ 1mA,

BUK9K134-100EX

частина: 189637

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 159 mOhm @ 5A, 5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.1V @ 1mA,

BSS84AKS/ZLX

частина: 3372

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 160mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.1V @ 250µA,

BUK9MTT-65PBB,518

частина: 3325

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 65V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90.4 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2V @ 1mA,

BUK9MRR-65PKK,518

частина: 3041

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 65V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60.7 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2V @ 1mA,

BUK9MNN-65PKK,518

частина: 3039

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 65V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.8 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2V @ 1mA,

BUK9MJJ-65PLL,518

частина: 3037

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 65V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2V @ 1mA,

BUK9MGP-55PTS,518

частина: 2984

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 16.9A (Tc), 9.16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 10A, 10V, 22.6 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2V @ 1mA,

BUK9MHH-65PNN,518

частина: 3036

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 65V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2V @ 1mA,

BUK9MFF-65PSS,518

частина: 2995

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 65V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 13.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2V @ 1mA,

BUK9MJT-55PRF,518

частина: 2797

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8 mOhm @ 10A, 10V,

BSL308CH6327XTSA1

частина: 146163

Тип FET: N and P-Channel Complementary, Функція FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.3A, 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2V @ 11µA,

BSC0911NDATMA1

частина: 94888

Тип FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функція FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A, 30A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2V @ 250µA,

BSO615NGHUMA1

частина: 20316

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2V @ 20µA,

BSO330N02KGFUMA1

частина: 3005

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.2V @ 20µA,

BTS7904SAKSA1

частина: 2985

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 40A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.2V @ 40µA,

BSO4804HUMA2

частина: 2904

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2V @ 30µA,

BSL806NL6327HTSA1

частина: 2870

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 750mV @ 11µA,

BSL207NL6327HTSA1

частина: 2845

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.2V @ 11µA,

BSL308PEL6327HTSA1

частина: 3339

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 11µA,

BSL308CL6327HTSA1

частина: 2842

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.3A, 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2V @ 11µA,

BSL314PEL6327HTSA1

частина: 3308

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2V @ 6.3µA,

BSD840N L6327

частина: 2834

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 880mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 880mA, 2.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 750mV @ 1.6µA,

BSL306NL6327HTSA1

частина: 3344

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2V @ 11µA,

BUK7K6R2-40E/CX

частина: 3020