Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - маси

AON3613

частина: 2846

Тип FET: N and P-Channel, Common Drain, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 250µA,

AON7902

частина: 2909

Тип FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A, 13A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.3V @ 250µA,

AON7820

частина: 2905

Тип FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

AON6922

частина: 2854

Тип FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A, 31A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.7V @ 250µA,

AON6918

частина: 2899

Тип FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 25V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 15A, 26.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.3V @ 250µA,

AON6910A

частина: 2864

Тип FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9.1A, 16A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.1A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.4V @ 250µA,

AON6908A

частина: 160676

Тип FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11.5A, 17A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 11.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.4V @ 250µA,

AON5810

частина: 135258

Тип FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.7A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

AON5802B

частина: 192395

Тип FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 250µA,

AON4807

частина: 2870

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.3V @ 250µA,

AON4605

частина: 121859

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.3A, 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

AON2880

частина: 2900

Тип FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

AON2800

частина: 2829

Тип FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.2V @ 250µA,

AOD607

частина: 2889

Тип FET: N and P-Channel Complementary, Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

AO8818

частина: 2886

Тип FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 250µA,

AOC2802

частина: 2855

Тип FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функція FET: Logic Level Gate,

AO8804

частина: 2865

Тип FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1V @ 250µA,

AO6801A

частина: 2890

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.3A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.4V @ 250µA,

AO4830

частина: 2895

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 5V @ 250µA,

AO4821

частина: 189745

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 9A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 850mV @ 250µA,

AO4613

частина: 2910

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.2A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

AO4924

частина: 2854

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.4V @ 250µA,

AON7932

частина: 2904

Тип FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.6A, 8.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.6A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.4V @ 250µA,

AON7900

частина: 2883

Тип FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A, 13A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.3V @ 250µA,

AO8807

частина: 115236

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 850mV @ 250µA,

AUIRF9952Q

частина: 2919

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.5A, 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

AUIRF7379Q

частина: 2916

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.8A, 4.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

AUIRF7342Q

частина: 3348

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

AUIRF7341Q

частина: 2859

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

AUIRF7319Q

частина: 2903

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.5A, 4.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

AUIRF7313Q

частина: 2913

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

AUIRF7316Q

частина: 5424

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

AUIRF7304Q

частина: 2891

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 250µA,

AUIRF7309Q

частина: 2875

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4A, 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

AUIRF7303Q

частина: 2880

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.7A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 100µA,

APTJC120AM13VCT1AG

частина: 2840