Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - маси

AOP607

частина: 3275

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

AOP609

частина: 2816

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

AOP605

частина: 2811

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

AO4838

частина: 114715

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.6V @ 250µA,

AO4882

частина: 110285

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.4V @ 250µA,

AO4852

частина: 115960

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.6V @ 250µA,

AO4886

частина: 2683

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.7V @ 250µA,

AON7611

частина: 168239

Тип FET: N and P-Channel, Common Drain, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9A, 18.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

AO4803A

частина: 134931

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

AO4614B

частина: 146451

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A, 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

AO4813

частина: 174721

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,

AO4800B

частина: 189998

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 250µA,

AO4805

частина: 180636

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.8V @ 250µA,

AO4630

частина: 137477

Тип FET: N and P-Channel Complementary, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A, 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.45V @ 250µA,

AO4612

частина: 189775

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.5A, 3.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

AO4840

частина: 161636

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

AON6924

частина: 90862

Тип FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 15A, 28A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.3V @ 250µA,

AOD609

частина: 192201

Тип FET: N and P-Channel, Common Drain, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

AOC2804

частина: 105804

Тип FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функція FET: Standard,

AON7804

частина: 120975

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.4V @ 250µA,

AAT7347IAS-T1

частина: 157898

AUIRFN8459TR

частина: 64112

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 50A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 40A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3.9V @ 50µA,

AUIRFN8458TR

частина: 79588

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 43A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3.9V @ 25µA,

AUIRF7341QTR

частина: 89718

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

AUIRF7319QTR

частина: 89679

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.5A, 4.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

AUIRF7316QTR

частина: 89739

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

AUIRF7342QTR

частина: 91383

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

AUIRF7313QTR

частина: 94924

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

AUIRF7304QTR

частина: 101244

Тип FET: 2 P-Channel (Dual), Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 1.5V @ 250µA,

AUIRF7379QTR

частина: 101249

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.8A, 4.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

AUIRF7103QTR

частина: 121994

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Standard, Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

AUIRF9952QTR

частина: 125213

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.5A, 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 3V @ 250µA,

BSM180D12P3C007

частина: 168

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Silicon Carbide (SiC), Слив до джерела напруги (Vdss): 1200V (1.2kV), Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 180A (Tc), Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 5.6V @ 50mA,

BSM300D12P2E001

частина: 201

Тип FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функція FET: Silicon Carbide (SiC), Слив до джерела напруги (Vdss): 1200V (1.2kV), Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 300A (Tc), Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 4V @ 68mA,

BSM080D12P2C008

частина: 263

Тип FET: 2 N-Channel (Dual), Функція FET: Silicon Carbide (SiC), Слив до джерела напруги (Vdss): 1200V (1.2kV), Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 4V @ 13.2mA,

BSS8402DWQ-7

частина: 194681

Тип FET: N and P-Channel, Функція FET: Logic Level Gate, Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 115mA, 130mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (го) (макс.) @ Ідентифікатор: 2.5V @ 250µA,