Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 450MHz, Посилення: 20dB, Напруга - тест: 50V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 220MHz, Посилення: 25.5dB, Напруга - тест: 50V,
Транзисторний тип: pHEMT FET, Частота: 3.55GHz, Посилення: 11dB, Напруга - тест: 12V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 880MHz, Посилення: 17.8dB, Напруга - тест: 26V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 3.4GHz ~ 3.6GHz, Посилення: 14dB, Напруга - тест: 30V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 880MHz, Посилення: 19.5dB, Напруга - тест: 26V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 880MHz, Посилення: 19.2dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.12GHz, Посилення: 15.5dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 1.03GHz, Посилення: 20dB, Напруга - тест: 50V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.17GHz, Посилення: 17.3dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 880MHz, Посилення: 20.2dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.81GHz, Посилення: 18.2dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.39GHz, Посилення: 15.2dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.66GHz, Посилення: 15.5dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 960MHz, Посилення: 18.5dB, Напруга - тест: 26V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 220MHz, Посилення: 23.9dB, Напруга - тест: 50V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 880MHz, Посилення: 16.5dB, Напруга - тест: 26V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Посилення: 17.5dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.88GHz, Посилення: 15.9dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.16GHz ~ 2.17GHz, Посилення: 15dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.6GHz ~ 1.66GHz, Посилення: 19.7dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Посилення: 15.8dB, Напруга - тест: 30V, Поточний рейтинг: 10µA,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.805GHz ~ 1.88GHz, Посилення: 14.8dB, Напруга - тест: 28V, Поточний рейтинг: 10µA,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.17GHz, Посилення: 17.5dB, Напруга - тест: 30V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.42GHz, Посилення: 14dB, Напруга - тест: 28V, Поточний рейтинг: 10µA,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.96GHz, Посилення: 17.5dB, Напруга - тест: 28V, Поточний рейтинг: 10µA,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 765MHz, Посилення: 18.7dB, Напруга - тест: 30V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.68GHz, Посилення: 14dB, Напруга - тест: 28V, Поточний рейтинг: 10µA,
Транзисторний тип: HFET, Частота: 20GHz, Посилення: 13.5dB, Напруга - тест: 2V, Поточний рейтинг: 70mA, Фігура шуму: 0.65dB,
Транзисторний тип: HFET, Частота: 12GHz, Посилення: 12.5dB, Напруга - тест: 2V, Поточний рейтинг: 88mA, Фігура шуму: 0.3dB,
Транзисторний тип: N-Channel, Частота: 175MHz, Посилення: 16dB, Напруга - тест: 50V, Поточний рейтинг: 10A,
Транзисторний тип: N-Channel JFET,
Транзисторний тип: N-Channel JFET, Поточний рейтинг: 20mA,
