Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 960MHz, Посилення: 18.5dB, Напруга - тест: 30V, Поточний рейтинг: 10µA,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.68GHz, Посилення: 15dB, Напруга - тест: 28V, Поточний рейтинг: 10µA,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 940MHz, Посилення: 18dB, Напруга - тест: 30V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.14GHz, Посилення: 15.8dB, Напруга - тест: 30V, Поточний рейтинг: 10µA,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.68GHz, Посилення: 13.5dB, Напруга - тест: 28V, Поточний рейтинг: 10µA,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.96GHz, Посилення: 17dB, Напруга - тест: 30V, Поточний рейтинг: 10µA,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.16GHz, Посилення: 16dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.6GHz ~ 1.66GHz, Посилення: 19.7dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.12GHz, Посилення: 15.5dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Посилення: 15.9dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 470MHz ~ 860MHz, Посилення: 20dB,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 945MHz, Посилення: 19dB, Напруга - тест: 26V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 450MHz, Посилення: 22dB, Напруга - тест: 50V,
Транзисторний тип: pHEMT FET, Частота: 3.55GHz, Посилення: 10dB, Напруга - тест: 6V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Посилення: 17.5dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 880MHz, Посилення: 20dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 2.14GHz, Посилення: 18.1dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 860MHz, Посилення: 18.2dB, Напруга - тест: 32V,
Транзисторний тип: pHEMT FET, Частота: 3.55GHz, Посилення: 10dB, Напруга - тест: 12V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 940MHz, Посилення: 21dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.81GHz, Посилення: 17.5dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 945MHz, Посилення: 17dB, Напруга - тест: 26V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.99GHz, Посилення: 20dB, Напруга - тест: 28V,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 960MHz, Посилення: 17.2dB, Напруга - тест: 28V, Поточний рейтинг: 12A,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2GHz, Посилення: 11dB, Напруга - тест: 13.6V, Поточний рейтинг: 5A,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 960MHz, Посилення: 14dB, Напруга - тест: 28V, Поточний рейтинг: 14A,
Транзисторний тип: N-Channel, Частота: 400MHz, Посилення: 11.5dB, Напруга - тест: 28V, Поточний рейтинг: 5A,
Транзисторний тип: HFET, Частота: 2GHz, Посилення: 16dB, Напруга - тест: 2V, Поточний рейтинг: 120mA, Фігура шуму: 0.6dB,
Транзисторний тип: N-Channel, Частота: 20GHz, Посилення: 10.5dB, Напруга - тест: 2V, Поточний рейтинг: 15mA, Фігура шуму: 0.85dB,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 900MHz, Посилення: 22dB, Напруга - тест: 7.5V, Поточний рейтинг: 2.1A,
Транзисторний тип: MESFET Dual Gate, Частота: 900MHz, Посилення: 20dB, Напруга - тест: 5V, Поточний рейтинг: 40mA, Фігура шуму: 1.1dB,
Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.17GHz, Посилення: 18.1dB, Напруга - тест: 30V,
Транзисторний тип: HEMT, Частота: 0Hz ~ 3.5GHz, Посилення: 18dB, Напруга - тест: 50V, Поточний рейтинг: 3A,
