Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - RF

CGHV96050F1

частина: 221

Транзисторний тип: HEMT, Частота: 7.9GHz ~ 9.6GHz, Посилення: 17dB, Напруга - тест: 40V, Поточний рейтинг: 13A,

PTFB183404F-V2-R0

частина: 109

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.88GHz, Посилення: 17dB, Напруга - тест: 30V,

PTAB182002FC-V1-R250

частина: 146

CGH40006P

частина: 1327

Транзисторний тип: HEMT, Частота: 0Hz ~ 6GHz, Посилення: 13dB, Напруга - тест: 28V, Поточний рейтинг: 3.5A,

PTFA180701E-V4-R250

частина: 6369

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.84GHz, Посилення: 16.5dB, Напруга - тест: 28V, Поточний рейтинг: 10µA,

PTFB090901FA-V2-R0

частина: 86

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 960MHz, Посилення: 19.5dB, Напруга - тест: 28V,

PTFB192503EL-V1-R250

частина: 6433

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 1.99GHz, Посилення: 19dB, Напруга - тест: 30V,

CGH27030S

частина: 1271

Транзисторний тип: HEMT, Частота: 6GHz, Посилення: 18.3dB, Напруга - тест: 28V,

PTFB182503EL-V1-R250

частина: 4644

CGHV14500F

частина: 120

Транзисторний тип: HEMT, Частота: 1.2GHz ~ 1.4GHz, Посилення: 17dB, Напруга - тест: 50V, Поточний рейтинг: 36A,

CGHV50200F

частина: 106

Транзисторний тип: HEMT, Частота: 5GHz, Посилення: 11.8dB, Напруга - тест: 40V, Поточний рейтинг: 17A,

PXFC191507FC-V1-R250

частина: 107

PTFB091507FH-V1-R250

частина: 140

PTVA123501FC-V1-R250

частина: 165

MRF8P20140WHSR3

частина: 1061

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 1.88GHz ~ 1.91GHz, Посилення: 16dB, Напруга - тест: 28V,

MRF8S21100HR5

частина: 6423

Транзисторний тип: N-Channel, Частота: 2.17GHz, Посилення: 18.3dB, Напруга - тест: 28V,

MRF8P23080HR3

частина: 6405

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 2.3GHz, Посилення: 14.6dB, Напруга - тест: 28V,

MRFE6VP61K25NR6

частина: 504

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 230MHz, Посилення: 23dB, Напруга - тест: 50V,

MRFE6VP5150NR1

частина: 2790

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 230MHz, Посилення: 26.1dB, Напруга - тест: 50V,

ON5448,518

частина: 6348

MRF8S26060HSR3

частина: 6324

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.69GHz, Посилення: 16.3dB, Напруга - тест: 28V,

MRF7S21210HSR5

частина: 4655

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2.17GHz, Посилення: 18.5dB, Напруга - тест: 28V,

MMRF1304LR5

частина: 1532

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 512MHz, Посилення: 25.9dB, Напруга - тест: 50V,

MRF8P9300HR6

частина: 6371

Транзисторний тип: LDMOS (Dual), Частота: 960MHz, Посилення: 19.4dB, Напруга - тест: 28V,

SD2932BW

частина: 625

PD57006-E

частина: 4613

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 945MHz, Посилення: 15dB, Напруга - тест: 28V, Поточний рейтинг: 1A,

PD20010TR-E

частина: 5930

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 2GHz, Посилення: 11dB, Напруга - тест: 13.6V, Поточний рейтинг: 5A,

PD57030-E

частина: 1706

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 945MHz, Посилення: 14dB, Напруга - тест: 28V, Поточний рейтинг: 4A,

PD85025C

частина: 1418

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 945MHz, Посилення: 17.5dB, Напруга - тест: 13.6V, Поточний рейтинг: 7A,

SD57045

частина: 1005

Транзисторний тип: LDMOS, Частота: 945MHz, Посилення: 15dB, Напруга - тест: 28V, Поточний рейтинг: 5A,

NPT1012B

частина: 371

Транзисторний тип: HEMT, Частота: 0Hz ~ 4GHz, Посилення: 13dB, Напруга - тест: 28V,

UF28150J

частина: 309

Транзисторний тип: 2 N-Channel (Dual), Частота: 100MHz ~ 500MHz, Посилення: 8dB, Напруга - тест: 28V, Поточний рейтинг: 16A,

CLF1G0035-200PU

частина: 159

IXZH10N50L2B

частина: 3281

Транзисторний тип: N-Channel, Частота: 70MHz, Посилення: 17dB, Напруга - тест: 100V, Поточний рейтинг: 10A,

CE3520K3-C1

частина: 117189

Транзисторний тип: pHEMT FET, Частота: 20GHz, Посилення: 13.8dB, Напруга - тест: 2V, Поточний рейтинг: 15mA, Фігура шуму: 0.8dB,

PTFB093608SVV2R250XTMA1

частина: 637