Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

BUK9840-55,115

частина: 1788

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A (Ta), Приводна напруга: 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 5A, 5V,

До побажання

BSH207,135

частина: 1839

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 12V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.52A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1A, 4.5V,

До побажання

BUK6211-75C,118

частина: 133452

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 74A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання

BUK72150-55A,118

частина: 100171

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 5A, 10V,

До побажання

BUK7212-55B,118

частина: 152505

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання

BSP100,135

частина: 1597

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.2A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V,

До побажання

BUK7507-30B,127

частина: 1565

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання

BUK9Y12-80E,115

частина: 1528

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V,

До побажання

BUK7Y12-80EX

частина: 1556

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V,

До побажання

BUK7Y3R0-40EX

частина: 141941

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V,

До побажання

BUK954R8-60E,127

частина: 1476

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання

BUK953R5-60E,127

частина: 1493

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання

BUK758R3-40E,127

частина: 1508

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4 mOhm @ 20A, 10V,

До побажання

BUK755R4-100E,127

частина: 1477

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання

BUK753R8-80E,127

частина: 1457

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 80V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання

BUK9107-40ATC,118

частина: 1479

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 50A, 10V,

До побажання

BSS84AKT,115

частина: 1762

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 150mA (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 100mA, 10V,

До побажання

BUK7575-55,127

частина: 6209

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 19.7A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 10A, 10V,

До побажання

BUK962R1-40E,118

частина: 1534

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання

BUK961R7-40E,118

частина: 1549

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання

BUK761R4-30E,118

частина: 1502

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання

BUK961R5-30E,118

частина: 1498

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання

BUK9609-55A,118

частина: 1451

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання

BUK78150-55A,115

частина: 1504

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 5A, 10V,

До побажання

BUK7609-55A,118

частина: 1521

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання

BSO613SPVGHUMA1

частина: 10789

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.44A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3.44A, 10V,

До побажання

BSP615S2LHUMA1

частина: 1649

До побажання

BSF024N03LT3GXUMA1

частина: 1599

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 15A (Ta), 106A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 20A, 10V,

До побажання

BSO083N03MSGXUMA1

частина: 1515

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3 mOhm @ 14A, 10V,

До побажання

BSO051N03MS G

частина: 6171

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 14A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 18A, 10V,

До побажання

BSL202SNL6327HTSA1

частина: 1570

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.5A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 4.5V,

До побажання

BSD316SNL6327XT

частина: 121446

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1.4A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.4A, 10V,

До побажання