Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

BUK653R5-55C,127
NXP USA Inc.

BUK653R5-55C,127

частина: 6308

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання
BUK653R2-55C,127
NXP USA Inc.

BUK653R2-55C,127

частина: 2570

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання
BUK653R4-40C,127
NXP USA Inc.

BUK653R4-40C,127

частина: 2554

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання
BUK6510-75C,127
NXP USA Inc.

BUK6510-75C,127

частина: 2551

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 77A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання
BUK6507-55C,127
NXP USA Inc.

BUK6507-55C,127

частина: 2513

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання
BUK9222-55A/C1,118
NXP USA Inc.

BUK9222-55A/C1,118

частина: 2554

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 48A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання
BUK7210-55B/C1,118
NXP USA Inc.

BUK7210-55B/C1,118

частина: 2539

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання
BUK9237-55A/C1,118
NXP USA Inc.

BUK9237-55A/C1,118

частина: 2513

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 32A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 15A, 10V,

До побажання
BUK9240-100A/C1,11
NXP USA Inc.

BUK9240-100A/C1,11

частина: 2553

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 33A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38.6 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання
BUK7628-100A/C,118
NXP USA Inc.

BUK7628-100A/C,118

частина: 2564

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 47A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання
BUK9535-55,127
NXP USA Inc.

BUK9535-55,127

частина: 2489

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 34A (Tc), Приводна напруга: 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 17A, 5V,

До побажання
BUK7524-55,127
NXP USA Inc.

BUK7524-55,127

частина: 2502

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 45A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання
BUK7213-40A,118
NXP USA Inc.

BUK7213-40A,118

частина: 2477

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 55A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання
BUK9213-30A,118
NXP USA Inc.

BUK9213-30A,118

частина: 2509

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 55A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання
BUK7E4R3-75C,127
NXP USA Inc.

BUK7E4R3-75C,127

частина: 2562

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання
BUK753R4-30B,127
NXP USA Inc.

BUK753R4-30B,127

частина: 2515

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання
BUK7226-75A/C1,118
NXP USA Inc.

BUK7226-75A/C1,118

частина: 2478

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 45A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання
BUK9E4R4-40B,127
NXP USA Inc.

BUK9E4R4-40B,127

частина: 2525

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання
BUK96150-55A,118
NXP USA Inc.

BUK96150-55A,118

частина: 2469

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 13A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137 mOhm @ 13A, 10V,

До побажання
BUK9907-55ATE,127
NXP USA Inc.

BUK9907-55ATE,127

частина: 2500

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 50A, 10V,

До побажання
BUK9516-75B,127
NXP USA Inc.

BUK9516-75B,127

частина: 2461

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 67A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання
BUK9528-55A,127
NXP USA Inc.

BUK9528-55A,127

частина: 2498

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 40A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 20A, 5V,

До побажання
BUK9516-55A,127
NXP USA Inc.

BUK9516-55A,127

частина: 2549

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 66A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання
BUK9509-55A,127
NXP USA Inc.

BUK9509-55A,127

частина: 2464

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання
BUK7L06-34ARC,127
NXP USA Inc.

BUK7L06-34ARC,127

частина: 2515

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 34V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V,

До побажання
BUK7L11-34ARC,127
NXP USA Inc.

BUK7L11-34ARC,127

частина: 2474

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 34V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 30A, 10V,

До побажання
BUK7E2R7-30B,127
NXP USA Inc.

BUK7E2R7-30B,127

частина: 6250

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання
BUK7E11-55B,127
NXP USA Inc.

BUK7E11-55B,127

частина: 2540

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання
BUK7628-55A,118
NXP USA Inc.

BUK7628-55A,118

частина: 2516

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 42A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання
BUK7624-55A,118
NXP USA Inc.

BUK7624-55A,118

частина: 2466

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 47A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання
BUK754R3-40B,127
NXP USA Inc.

BUK754R3-40B,127

частина: 2488

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання
BUK752R7-30B,127
NXP USA Inc.

BUK752R7-30B,127

частина: 2528

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання
BUK7524-55A,127
NXP USA Inc.

BUK7524-55A,127

частина: 2519

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 47A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання
BUK7523-75A,127
NXP USA Inc.

BUK7523-75A,127

частина: 2500

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 53A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання
BUK75150-55A,127
NXP USA Inc.

BUK75150-55A,127

частина: 2535

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 5A, 10V,

До побажання
BUK9635-55,118
NXP USA Inc.

BUK9635-55,118

частина: 2435

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 34A (Tc), Приводна напруга: 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 17A, 5V,

До побажання