Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один | Дискретні напівпровідникові вироби | 100

BSS138W-TP

частина: 114968

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 50V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 220mA (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

До побажання

Infineon Technologies

BSS806NEH6327XTSA1

частина: 133510

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2.3A (Ta), Приводна напруга: 1.8V, 2.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V,

До побажання

Infineon Technologies

BSL307SPH6327XTSA1

частина: 173921

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.5A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 5.5A, 10V,

До побажання

Infineon Technologies

BSR302NL6327HTSA1

частина: 147786

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.7A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 3.7A, 10V,

До побажання

Infineon Technologies

BSP149H6327XTSA1

частина: 151561

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 660mA (Ta), Приводна напруга: 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

До побажання

Infineon Technologies

BSS126H6327XTSA2

частина: 139015

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 21mA (Ta), Приводна напруга: 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

До побажання

Infineon Technologies

BSR315PH6327XTSA1

частина: 154692

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 620mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 620mA, 10V,

До побажання

Infineon Technologies

BSP300H6327XUSA1

частина: 149949

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 190mA (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 190mA, 10V,

До побажання

Infineon Technologies

BUZ73LHXKSA1

частина: 1204

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7A (Tc), Приводна напруга: 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 3.5A, 5V,

До побажання

Infineon Technologies

BUZ73ALHXKSA1

частина: 1178

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.5A (Tc), Приводна напруга: 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 5V,

До побажання

Infineon Technologies

BUZ73A H3046

частина: 1626

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.5A, 10V,

До побажання

Infineon Technologies

BUZ73A H

частина: 1233

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.5A, 10V,

До побажання

Infineon Technologies

BUZ73HXKSA1

частина: 1190

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 10V,

До побажання

Infineon Technologies

BUZ73H3046XKSA1

частина: 1217

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 10V,

До побажання

Infineon Technologies

BUZ31L H

частина: 1152

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 13.5A (Tc), Приводна напруга: 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 7A, 5V,

До побажання

Infineon Technologies

BUZ31HXKSA1

частина: 1196

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 14.5A (Tc), Приводна напруга: 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 9A, 5V,

До побажання

Infineon Technologies

BSS84PH6327XTSA1

частина: 1174

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 170mA (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 170mA, 10V,

До побажання

Nexperia USA Inc.

BUK7D25-40EX

частина: 9923

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 8A, 10V,

До побажання

Nexperia USA Inc.

BUK7905-40AIE,127

частина: 28752

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 50A, 10V,

До побажання

Nexperia USA Inc.

BUK6228-55C,118

частина: 183525

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 31A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 10A, 10V,

До побажання

Nexperia USA Inc.

BUK9610-100B,118

частина: 61512

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання

Nexperia USA Inc.

BUK6607-55C,118

частина: 123826

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання

Nexperia USA Inc.

BUK962R8-60E,118

частина: 53057

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Приводна напруга: 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 25A, 10V,

До побажання

Nexperia USA Inc.

BUK7635-55A,118

частина: 157535

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 35A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 20A, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

BMS4003

частина: 1258

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 18A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 9A, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

BXL4001

частина: 1160

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 85A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4 mOhm @ 43A, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

BMS3003

частина: 1228

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 78A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 39A, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

BFL4007

частина: 1221

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8.7A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680 mOhm @ 7A, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

BFL4036

частина: 1229

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9.6A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 7A, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

BFL4004

частина: 1163

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.3A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 3.25A, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

BFL4037

частина: 1124

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

BMS4007

частина: 1121

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 60A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 30A, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

BFL4026

частина: 6121

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 900V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.5A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 2.5A, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

BFL4001

частина: 1193

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 900V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 4.1A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 3.25A, 10V,

До побажання

ON Semiconductor

BBS3002-DL-E

частина: 6191

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 50A, 10V,

До побажання

NXP USA Inc.

BUK9875-100A,115

частина: 1199

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 8A, 10V,

До побажання