Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні | Дискретні напівпровідникові вироби | 11

2SA1020-Y(T6ND1,AF

частина: 6998

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6CANOFM

частина: 6993

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6CN,A,F

частина: 6954

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(ND1,AF)

частина: 6985

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6CANOAF

частина: 7006

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(HIT,F,M)

частина: 6997

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-O,T6CSF(J

частина: 6930

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(6MBH1,AF

частина: 6930

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-O,F(J

частина: 6938

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-O,CKF(J

частина: 6931

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-O(F,M)

частина: 6950

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-O(TE6,F,M)

частина: 6965

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020A,NSEIKIF(J

частина: 6974

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020A,T6CSF(J

частина: 6928

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1013-O,T6MIBF(J

частина: 6980

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 160V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162S-GR,LF(D

частина: 6875

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2859-O(TE85L,F)

частина: 6792

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1954-A(TE85L,F)

частина: 6773

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 12V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2859-GR(TE85L,F

частина: 6693

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2859-Y(TE85L,F)

частина: 6762

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3138-Y(TE85L,F)

частина: 6780

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 200V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 3V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA2154MFV-GR(TPL3

частина: 6792

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5233BTE85LF

частина: 6787

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 12V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1954BTE85LF

частина: 6795

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 12V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4116SU-Y,LF

частина: 6677

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1586SU-Y,LF

частина: 6701

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162S-Y,LF

частина: 6675

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD1221-Y(Q)

частина: 6572

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1225-Y(Q)

частина: 6628

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 160V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2705-Y(TE6,F,M)

частина: 6565

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 150V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2406-Y(F)

частина: 6556

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 30µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD1407A-Y(F)

частина: 6562

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 400mA, 4A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 5V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3074-Y(Q)

частина: 6619

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3074-O(Q)

частина: 6562

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 1A, 1V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2705-O(TPE6,F)

частина: 6533

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 150V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Список побажань

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2705-O(TE6,F,M)

частина: 6581

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 150V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Список побажань