Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Транзистори - біполярні (BJT) - масиви

  • Додому
  •  
  • Транзистори - біполярні (BJT) - масиви
HN1C01FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FE-Y,LF

частина: 155661

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Список побажань
HN1B04FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FE-GR,LF

частина: 100168

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Список побажань
HN1A01FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FE-Y,LF

частина: 117289

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Список побажань
HN2A01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2A01FU-Y(TE85L,F

частина: 155823

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Список побажань
HN4C51J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4C51J(TE85L,F)

частина: 171

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual) Common Base, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 120V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Список побажань
HN2C01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FU-Y(TE85L,F

частина: 167274

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Список побажань
HN4C06J-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4C06J-BL(TE85L,F

частина: 141983

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual) Common Emitter, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 120V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Список побажань
HN2C01FU-GR(T5L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FU-GR(T5L,F)

частина: 156520

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Список побажань
HN1B04FU-Y(T5L,F,T
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

частина: 4654

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Список побажань
HN1B04FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FE-Y,LF

частина: 124479

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Список побажань
HN2A01FU-GR(TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2A01FU-GR(TE85LF

частина: 4497

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Список побажань
HN2C01FEYTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FEYTE85LF

частина: 4567

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Список побажань
HN1C01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01F-GR(TE85L,F

частина: 178604

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Список побажань
TPC6901(TE85L,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC6901(TE85L,F,M)

частина: 149134

Транзисторний тип: NPN, PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, 700mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 170mV @ 6mA, 300mA / 230mV @ 10mA, 300mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V,

Список побажань
HN1A01FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FU-GR,LF

частина: 133632

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Список побажань
HN2A01FE-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2A01FE-Y(TE85L,F

частина: 4470

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Список побажань
HN3C51F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C51F-GR(TE85L,F

частина: 4484

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 120V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Список побажань
TPCP8701(TE85L,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8701(TE85L,F,M

частина: 131

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V,

Список побажань
ULN2004APG,C,N
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2004APG,C,N

частина: 4503

Транзисторний тип: 7 NPN Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Список побажань
HN1C01FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FE-GR,LF

частина: 154422

Транзисторний тип: 2 NPN (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Список побажань
HN2A01FE-GR(TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2A01FE-GR(TE85LF

частина: 4508

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Список побажань
HN4A56JU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A56JU(TE85L,F)

частина: 175513

Транзисторний тип: 2 PNP (Dual), Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Список побажань