Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

TK100A10N1,S4X

TK100A10N1,S4X

частина: 16692

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 50A, 10V,

Список побажань
TK35A65W5,S5X

TK35A65W5,S5X

частина: 10569

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 35A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 17.5A, 10V,

Список побажань
TK35N65W,S1F

TK35N65W,S1F

частина: 9341

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 35A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 17.5A, 10V,

Список побажань
TK5A60W,S4VX

TK5A60W,S4VX

частина: 31662

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.4A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 2.7A, 10V,

Список побажань
TK560A60Y,S4X

TK560A60Y,S4X

частина: 54262

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560 mOhm @ 3.5A, 10V,

Список побажань
TK14A65W5,S5X

TK14A65W5,S5X

частина: 22962

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 13.7A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 6.9A, 10V,

Список побажань
TK290A65Y,S4X

TK290A65Y,S4X

частина: 42886

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 5.8A, 10V,

Список побажань
TK39J60W,S1VQ

TK39J60W,S1VQ

частина: 6891

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 38.8A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 19.4A, 10V,

Список побажань
TK22A10N1,S4X

TK22A10N1,S4X

частина: 46666

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 22A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8 mOhm @ 11A, 10V,

Список побажань
TK31N60X,S1F

TK31N60X,S1F

частина: 12250

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30.8A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 9.4A, 10V,

Список побажань
TK28A65W,S5X

TK28A65W,S5X

частина: 13242

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 27.6A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 13.8A, 10V,

Список побажань
TK34E10N1,S1X

TK34E10N1,S1X

частина: 45834

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 17A, 10V,

Список побажань
TK25N60X5,S1F

TK25N60X5,S1F

частина: 15891

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 25A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 7.5A, 10V,

Список побажань
TK22E10N1,S1X

TK22E10N1,S1X

частина: 48825

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 52A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8 mOhm @ 11A, 10V,

Список побажань
TK560A65Y,S4X

TK560A65Y,S4X

частина: 47641

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560 mOhm @ 3.5A, 10V,

Список побажань
TK750A60F,S4X

TK750A60F,S4X

частина: 2228

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5A, 10V,

Список побажань
TK17E80W,S1X

TK17E80W,S1X

частина: 15938

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 17A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 8.5A, 10V,

Список побажань
TK4R3A06PL,S4X

TK4R3A06PL,S4X

частина: 33613

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 68A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 15A, 4.5V,

Список побажань
TK20A60U(Q,M)

TK20A60U(Q,M)

частина: 11613

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 10A, 10V,

Список побажань
TK40A10N1,S4X

TK40A10N1,S4X

частина: 36261

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 40A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 20A, 10V,

Список побажань
TK10A80W,S4X

TK10A80W,S4X

частина: 23374

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9.5A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 4.8A, 10V,

Список побажань
TK290A60Y,S4X

TK290A60Y,S4X

частина: 42366

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11.5A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 5.8A, 10V,

Список побажань
TK5Q65W,S1Q

TK5Q65W,S1Q

частина: 57721

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5.2A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22 Ohm @ 2.6A, 10V,

Список побажань
TK1K9A60F,S4X

TK1K9A60F,S4X

частина: 1924

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.7A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 1.9A, 10V,

Список побажань
TK20A60W,S5VX

TK20A60W,S5VX

частина: 13609

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 10A, 10V,

Список побажань
TK650A60F,S4X

TK650A60F,S4X

частина: 2583

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 5.5A, 10V,

Список побажань
TK12E80W,S1X

TK12E80W,S1X

частина: 20175

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11.5A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 5.8A, 10V,

Список побажань
TK10A60W5,S5VX

TK10A60W5,S5VX

частина: 32642

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 9.7A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 4.9A, 10V,

Список побажань
TK6A65D(STA4,Q,M)

TK6A65D(STA4,Q,M)

частина: 34306

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 650V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11 Ohm @ 3A, 10V,

Список побажань
TK7E80W,S1X

TK7E80W,S1X

частина: 23190

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6.5A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 3.3A, 10V,

Список побажань
TK39A60W,S4VX

TK39A60W,S4VX

частина: 6838

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 38.8A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 19.4A, 10V,

Список побажань
TK17A80W,S4X

TK17A80W,S4X

частина: 17318

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 800V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 17A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 8.5A, 10V,

Список побажань
TK32E12N1,S1X

TK32E12N1,S1X

частина: 47246

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 120V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 60A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8 mOhm @ 16A, 10V,

Список побажань
TK8R2A06PL,S4X

TK8R2A06PL,S4X

частина: 42120

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4 mOhm @ 8A, 4.5V,

Список побажань
TK3R1A04PL,S4X

TK3R1A04PL,S4X

частина: 38184

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 82A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 30A, 4.5V,

Список побажань
TK3R1E04PL,S1X

TK3R1E04PL,S1X

частина: 38182

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 30A, 4.5V,

Список побажань