Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 85A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 43A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 75A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 37.5A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 32A, 4.5V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 17A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94 mOhm @ 8.5A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 350V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 900mA (Ta), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 450mA, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3.3A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 1.6A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1 mOhm @ 6A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 16A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 575 mOhm @ 8A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 30A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 90A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 45A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 180A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 90A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 50A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 6A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 3A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 80A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 40A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 810 mOhm @ 5.5A, 10V,
Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 27A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 27A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 5.5A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 6A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 90A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 45A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 5A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 400V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7.6A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 7A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 250V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 65A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 32.5A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 60A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 60A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85 mOhm @ 30A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 160A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 80A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 90A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85 mOhm @ 45A, 5V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 40A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 20A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 90A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 45A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 21A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 10.5A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 450V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 14A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510 mOhm @ 7A, 10V,
Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 80A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 40A, 10V,