Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

2SK3430-Z-E1-AZ

частина: 1915

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 40A, 10V,

2SK1518-E

частина: 1995

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 10A, 10V,

2SK3385(0)-Z-E1-AZ

частина: 1571

2SK4151TZ-E

частина: 1558

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95 Ohm @ 500mA, 4V,

2SK4093TZ-E

частина: 1571

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 250V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 1A (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 Ohm @ 500mA, 4V,

2SK4150TZ-E

частина: 1515

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 250V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 400mA (Ta), Приводна напруга: 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 Ohm @ 200mA, 4V,

2SK2225-E

частина: 6158

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 1500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A (Ta), Приводна напруга: 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 1A, 15V,

2SK1342-E

частина: 1570

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 900V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 4A, 10V,

2SK1775-E

частина: 1594

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 900V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 4A, 10V,

2SK1340-E

частина: 1567

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 900V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 5A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 3A, 10V,

2SK1341-E

частина: 1594

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 900V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 3A, 10V,

2SK1339-E

частина: 1582

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 900V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1.5A, 10V,

2SK3943-ZP-E1-AY

частина: 1136

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 82A (Tc), Приводна напруга: 5.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 41A, 10V,

2SK3811-ZP-E1-AY

частина: 1223

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 110A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 55A, 10V,

2SJ687-ZK-E1-AY

частина: 1177

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 20V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 20A (Tc), Приводна напруга: 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 10A, 4.5V,

2SK3793-AZ

частина: 1183

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 12A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 6A, 10V,

2SK3813-AZ

частина: 1166

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 60A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 30A, 10V,

2SK3481-AZ

частина: 1175

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 15A, 10V,

2SK3483-AZ

частина: 1144

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 28A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 14A, 10V,

2SJ673-AZ

частина: 1120

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 36A (Tc), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 18A, 10V,

2SK2315TYTR-E

частина: 6103

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A (Ta), Приводна напруга: 3V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 1A, 4V,

2SK2221-E

частина: 94

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 200V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A (Ta),

2SK1058-E

частина: 142

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 160V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7A (Ta),

2SJ162-E

частина: 68

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 160V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 7A (Ta), Приводна напруга: 10V,

2SK3814(0)-Z-E2-AZ

частина: 5955

2SK3899(01)-ZK-E1-AY

частина: 9606

2SK4144(01)-S6-AZ

частина: 9545

2SK3435-Z-E1-AZ

частина: 9596

2SK3353-AZ

частина: 9613

2SK3430-AZ

частина: 9563

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Приводна напруга: 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 40A, 10V,

2SK1859-E

частина: 9480

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 900V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 3A, 10V,

RJK0391DPA-00#J5A

частина: 88427

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 50A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 25A, 10V,

RJK1576DPA-00#J5A

частина: 49379

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 150V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 25A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 12.5A, 10V,

UPA2825T1S-E2-AT

частина: 147263

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 24A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 24A, 10V,

N0603N-S23-AY

частина: 72966

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 50A, 10V,

RJK0455DPB-00#J5

частина: 66694

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 45A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 22.5A, 10V,