Пам'ять | Інтегральні схеми (ІС) | 7

R1LV1616RSD-7SI#B0

частина: 5757

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM, Обсяг пам'яті: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань

Renesas Electronics America

R1WV6416RBG-5SI#B0

частина: 1371

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM, Обсяг пам'яті: 64Mb (8M x 8, 4M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань

Renesas Electronics America

R1WV6416RSA-5SI#B0

частина: 127

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM, Обсяг пам'яті: 64Mb (8M x 8, 4M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань

Renesas Electronics America

RMWV3216AGBG-5S2#AC0

частина: 2094

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM, Обсяг пам'яті: 32Mb (2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань

Renesas Electronics America

R1LV1616RBG-7SI#B0

частина: 1967

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM, Обсяг пам'яті: 16Mb (1M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань

Renesas Electronics America

R1LV3216RSD-5SI#B0

частина: 1856

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM, Обсяг пам'яті: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань

Renesas Electronics America

R1WV6416RSD-5SI#B0

частина: 1654

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM, Обсяг пам'яті: 64Mb (8M x 8, 4M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань

Renesas Electronics America

R1LV3216RSA-5SI#B1

частина: 575

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM, Обсяг пам'яті: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань

Renesas Electronics America

R1WV3216RBG-7SI#S0

частина: 2589

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM, Обсяг пам'яті: 32Mb (2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань

Renesas Electronics America

R1WV6416RSA-5SI#S0

частина: 5211

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM, Обсяг пам'яті: 64Mb (8M x 8, 4M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань

Renesas Electronics America

R1RP0416DSB-2PI#B0

частина: 9720

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

Список побажань

Renesas Electronics America

R1RP0416DSB-2PR#D1

частина: 9707

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

Список побажань

Renesas Electronics America

R1WV6416RBG-5SI#S0

частина: 1315

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM, Обсяг пам'яті: 64Mb (8M x 8, 4M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань

Renesas Electronics America

R1RP0416DSB-2LR#D1

частина: 9490

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

Список побажань

Renesas Electronics America

R1RP0416DSB-2PI#D1

частина: 9698

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

Список побажань

Renesas Electronics America

R1RW0416DSB-2PR#D1

частина: 9675

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

Список побажань

Renesas Electronics America

R1RP0416DSB-2LR#B0

частина: 9693

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

Список побажань

Renesas Electronics America

R1RW0416DSB-2LR#D1

частина: 9668

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

Список побажань

Renesas Electronics America

R1RP0416DSB-2PR#B0

частина: 5027

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

Список побажань

Renesas Electronics America

R1RW0416DSB-2LR#B0

частина: 9774

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

Список побажань

Renesas Electronics America

R1RW0416DSB-2PR#B0

частина: 9819

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

Список побажань

Renesas Electronics America

RMWV3216AGBG-5S2#KC0

частина: 213

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM, Обсяг пам'яті: 32Mb (2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань

Renesas Electronics America

R1LV3216RSD-5SI#S0

частина: 7020

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM, Обсяг пам'яті: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань

Renesas Electronics America

R1LV3216RSA-5SI#S1

частина: 4321

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM, Обсяг пам'яті: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань

Renesas Electronics America

HM216514TTI5SE

частина: 8739

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM, Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань

Renesas Electronics America

HM216514TTI5SEZ

частина: 8739

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM, Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань

Renesas Electronics America

R1RW0416DSB-2PI#D0

частина: 5785

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

Список побажань

Renesas Electronics America

R1WV6416RSA-7SR#B0

частина: 4234

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM, Обсяг пам'яті: 64Mb (8M x 8, 4M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 70ns,

Список побажань

Renesas Electronics America

R1RW0416DSB-2PI#D1

частина: 5694

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM, Обсяг пам'яті: 4Mb (256K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 12ns,

Список побажань

Renesas Electronics America

RMLV0808BGBG-4S2#AC0

частина: 597

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM, Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

Список побажань

Renesas Electronics America

R1EX24256BSAS0I#U0

частина: 1422

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 256Kb (32K x 8), Тактова частота: 400kHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,

Список побажань

Renesas Electronics America

RMLV0808BGBG-4S2#KC0

частина: 523

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM, Обсяг пам'яті: 8Mb (512K x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 45ns,

Список побажань

Renesas Electronics America

R1EX24016ASAS0I#U0

частина: 2736

Тип пам'яті: Non-Volatile, Формат пам'яті: EEPROM, Технологія: EEPROM, Обсяг пам'яті: 16Kb (2K x 8), Тактова частота: 400kHz, Написати час циклу - Слово, Сторінка: 5ms,

Список побажань

Renesas Electronics America

R1LV0108ESN-5SR#S0

частина: 1248

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM, Обсяг пам'яті: 1Mb (128K x 8), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань

Renesas Electronics America

R1LV3216RSA-5SR#B0

частина: 2781

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM, Обсяг пам'яті: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань

Renesas Electronics America

R1LV3216RSA-5SI#B0

частина: 1411

Тип пам'яті: Volatile, Формат пам'яті: SRAM, Технологія: SRAM, Обсяг пам'яті: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), Написати час циклу - Слово, Сторінка: 55ns,

Список побажань