Транзистори - транзистори, транзистори MOSF - один

RJK5026DPP-M0#T2

частина: 1556

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 6A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 3A, 10V,

NP60N055VUK-E1-AY

частина: 1514

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 60A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 30A, 10V,

NP100N04PUK-E1-AY

частина: 1562

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 50A, 10V,

NP109N04PUK-E1-AY

частина: 1565

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 110A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75 mOhm @ 55A, 10V,

RJK0703DPP-E0#T2

частина: 22491

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 75V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 70A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 35A, 10V,

RJK0601DPN-E0#T2

частина: 1552

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 110A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 55A, 10V,

NP109N055PUK-E1-AY

частина: 1541

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 110A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 55A, 10V,

RJK2555DPA-00#J0

частина: 1607

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 250V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 17A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104 mOhm @ 8.5A, 10V,

RJK2508DPK-00#T0

частина: 14766

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 250V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 50A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 25A, 10V,

RJK4006DPD-00#J2

частина: 1576

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 400V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 8A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 4A, 10V,

NP40N10YDF-E1-AY

частина: 6226

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 40A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 20A, 10V,

RJL5020DPK-00#T0

частина: 1628

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 38A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 19A, 10V,

RJK6012DPE-00#J3

частина: 45134

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 10A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920 mOhm @ 5A, 10V,

RJK4013DPE-00#J3

частина: 1610

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 400V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 17A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 8.5A, 10V,

RJK4002DPP-M0#T2

частина: 1605

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 400V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 Ohm @ 1.5A, 10V,

RJK5018DPK-00#T0

частина: 1557

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 35A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 17.5A, 10V,

NP88N04KUG-E1-AY

частина: 1585

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 88A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 44A, 10V,

RJK0354DSP-00#J0

частина: 183420

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 16A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 8A, 10V,

RJK6018DPK-00#T0

частина: 1628

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 30A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235 mOhm @ 15A, 10V,

NP82N03PUG-E1-AY

частина: 1579

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 82A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 41A, 10V,

RJK0346DPA-01#J0B

частина: 88114

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 65A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 25A, 10V,

NP40N10PDF-E1-AY

частина: 1578

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 40A (Tc), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 20A, 10V,

NP100N055PUK-E1-AY

частина: 6166

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25 mOhm @ 50A, 10V,

RJK6013DPP-E0#T2

частина: 1583

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 11A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 5.5A, 10V,

UPA2396T1P-E1-A

частина: 1594

UPA2735GR-E1-AT

частина: 109535

Тип FET: P-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 30V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 16A (Ta), Приводна напруга: 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 16A, 10V,

RJK5015DPM-00#T1

частина: 10680

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 25A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 12.5A, 10V,

RJK1003DPP-E0#T2

частина: 22492

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 50A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 25A, 10V,

NP60N04NUK-S18-AY

частина: 1547

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 40V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 60A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 30A, 10V,

RJK5013DPE-00#J3

частина: 1531

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 14A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 465 mOhm @ 7A, 10V,

RJK6002DPD-00#J2

частина: 1607

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 600V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 2A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 Ohm @ 1A, 10V,

NP89N055MUK-S18-AY

частина: 1598

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 55V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 90A (Tc), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 45A, 10V,

RJK1002DPP-E0#T2

частина: 17267

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 100V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 70A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6 mOhm @ 35A, 10V,

RJK0602DPN-E0#T2

частина: 16471

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 110A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 50A, 10V,

N0601N-ZK-E1-AY

частина: 1546

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 60V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 100A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 50A, 10V,

RJK5031DPD-00#J2

частина: 1559

Тип FET: N-Channel, Технологія: MOSFET (Metal Oxide), Слив до джерела напруги (Vdss): 500V, Струм - безперервний злив (Id) при 25 ° C: 3A (Ta), Приводна напруга: 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 Ohm @ 1.5A, 10V,