Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні

  • Додому
  •  
  • Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні
FJPF13007H1TU
ON Semiconductor

FJPF13007H1TU

частина: 6132

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 15 @ 2A, 5V,

Список побажань
KSB708YTU
ON Semiconductor

KSB708YTU

частина: 6133

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 7A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 3A, 1V,

Список побажань
MPSA18_D26Z
ON Semiconductor

MPSA18_D26Z

частина: 6503

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 5V,

Список побажань
MJD50
ON Semiconductor

MJD50

частина: 6641

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 200µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

Список побажань
NSVMMBT6429LT1G
ON Semiconductor

NSVMMBT6429LT1G

частина: 181113

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V,

Список побажань
MPSA06G
ON Semiconductor

MPSA06G

частина: 6447

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Список побажань
FJL6920YDTU
ON Semiconductor

FJL6920YDTU

частина: 6155

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 800V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 2.75A, 11A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 5.5 @ 11A, 5V,

Список побажань
FJP5021RV
ON Semiconductor

FJP5021RV

частина: 6088

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 500V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 15 @ 600mA, 5V,

Список побажань
MPSA29_D27Z
ON Semiconductor

MPSA29_D27Z

частина: 6476

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 500nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Список побажань
TIP102TSTU
ON Semiconductor

TIP102TSTU

частина: 6141

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A, Струм - відсікання колектора (макс.): 50µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V,

Список побажань
MSB92T1
ON Semiconductor

MSB92T1

частина: 6384

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 300V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 250nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V,

Список побажань
FJD3076TF
ON Semiconductor

FJD3076TF

частина: 6736

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 32V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 130 @ 500mA, 3V,

Список побажань
FJAF4310RTU
ON Semiconductor

FJAF4310RTU

частина: 6169

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 140V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V,

Список побажань
MPSA93_D26Z
ON Semiconductor

MPSA93_D26Z

частина: 6559

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 200V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 250nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V,

Список побажань
MPSA42RLRP
ON Semiconductor

MPSA42RLRP

частина: 6427

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 300V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V,

Список побажань
MPS751ZL1G
ON Semiconductor

MPS751ZL1G

частина: 6368

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V,

Список побажань
KSC3552RTU
ON Semiconductor

KSC3552RTU

частина: 6125

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 12A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 800V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 1.2A, 6A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 15 @ 800mA, 5V,

Список побажань
KSA1010Y
ON Semiconductor

KSA1010Y

частина: 6125

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 7A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 500mA, 5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 3A, 5V,

Список побажань
MPSA55
ON Semiconductor

MPSA55

частина: 6477

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Список побажань
MPS2222ARLRPG
ON Semiconductor

MPS2222ARLRPG

частина: 6415

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Список побажань
NSS12600CF8T1G
ON Semiconductor

NSS12600CF8T1G

частина: 6503

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 12V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 170mV @ 400mA, 4A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 250 @ 1A, 2V,

Список побажань
MPS6515_D27Z
ON Semiconductor

MPS6515_D27Z

частина: 6548

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 10V,

Список побажань
FJN13003TA
ON Semiconductor

FJN13003TA

частина: 1656

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 9 @ 500mA, 2V,

Список побажань
MPSA14_D26Z
ON Semiconductor

MPSA14_D26Z

частина: 6468

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Список побажань
MPSA65_D27Z
ON Semiconductor

MPSA65_D27Z

частина: 6522

Транзисторний тип: PNP - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Список побажань
MPSA14_D75Z
ON Semiconductor

MPSA14_D75Z

частина: 6528

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Список побажань
MPSA06RLG
ON Semiconductor

MPSA06RLG

частина: 6385

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Список побажань
FJN3303TA
ON Semiconductor

FJN3303TA

частина: 6134

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 2V,

Список побажань
CPH3140-TL-E
ON Semiconductor

CPH3140-TL-E

частина: 138309

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 40mA, 400mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V,

Список побажань
MJ14001G
ON Semiconductor

MJ14001G

частина: 6387

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 60A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 12A, 60A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 15 @ 50A, 3V,

Список побажань
KSB707YTU
ON Semiconductor

KSB707YTU

частина: 6386

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 7A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 3A, 1V,

Список побажань
KSH30TF
ON Semiconductor

KSH30TF

частина: 6694

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 50µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V,

Список побажань
MPSA18RLRAG
ON Semiconductor

MPSA18RLRAG

частина: 6157

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 5V,

Список побажань
MPS6515_D74Z
ON Semiconductor

MPS6515_D74Z

частина: 6544

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 10V,

Список побажань
MPSA27
ON Semiconductor

MPSA27

частина: 6461

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 500nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Список побажань
MPSA27RLRAG
ON Semiconductor

MPSA27RLRAG

частина: 6611

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 500nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Список побажань