Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Діоди - Змінна ємність (Варікапи, Варактори)

  • Додому
  •  
  • Діоди - Змінна ємність (Варікапи, Варактори)
SVC203C-TB-E
ON Semiconductor

SVC203C-TB-E

частина: 178025

Ємність @ Vr, F: 13.4pF @ 9V, 1MHz, Співвідношення ємності: 4.6, Стан коефіцієнта ємності: C1/C9, Напруга - пік, зворотний (макс.): 16V, Тип діода: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 60 @ 3V, 100MHz,

Список побажань
MMBV109LT3G
ON Semiconductor

MMBV109LT3G

частина: 7476

Ємність @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Співвідношення ємності: 6.5, Стан коефіцієнта ємності: C3/C25, Напруга - пік, зворотний (макс.): 30V, Тип діода: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

Список побажань
MMBV409LT1
ON Semiconductor

MMBV409LT1

частина: 4762

Ємність @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Співвідношення ємності: 1.9, Стан коефіцієнта ємності: C3/C8, Напруга - пік, зворотний (макс.): 20V, Тип діода: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

Список побажань
MMBV3102LT1
ON Semiconductor

MMBV3102LT1

частина: 7497

Ємність @ Vr, F: 25pF @ 3V, 1MHz, Співвідношення ємності: 4.8, Стан коефіцієнта ємності: C3/C25, Напруга - пік, зворотний (макс.): 30V, Тип діода: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

Список побажань
MMBV809LT3G
ON Semiconductor

MMBV809LT3G

частина: 7496

Ємність @ Vr, F: 6.1pF @ 2V, 1MHz, Співвідношення ємності: 2.6, Стан коефіцієнта ємності: C2/C8, Напруга - пік, зворотний (макс.): 20V, Тип діода: Single, Q @ Vr, F: 75 @ 3V, 500MHz,

Список побажань
MV104G
ON Semiconductor

MV104G

частина: 7467

Ємність @ Vr, F: 42pF @ 3V, 1MHz, Співвідношення ємності: 2.8, Стан коефіцієнта ємності: C3/C30, Напруга - пік, зворотний (макс.): 32V, Тип діода: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 140 @ 3V, 100MHz,

Список побажань
MMBV105GLT1G
ON Semiconductor

MMBV105GLT1G

частина: 7457

Ємність @ Vr, F: 2.8pF @ 25V, 1MHz, Співвідношення ємності: 6.5, Стан коефіцієнта ємності: C3/C25, Напруга - пік, зворотний (макс.): 30V, Тип діода: Single, Q @ Vr, F: 250 @ 3V, 50MHz,

Список побажань
MMBV2108LT1G
ON Semiconductor

MMBV2108LT1G

частина: 7478

Ємність @ Vr, F: 29.7pF @ 4V, 1MHz, Співвідношення ємності: 3.2, Стан коефіцієнта ємності: C2/C30, Напруга - пік, зворотний (макс.): 30V, Тип діода: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 4V, 50MHz,

Список побажань
MMBV409LT1G
ON Semiconductor

MMBV409LT1G

частина: 7505

Ємність @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Співвідношення ємності: 1.9, Стан коефіцієнта ємності: C3/C8, Напруга - пік, зворотний (макс.): 20V, Тип діода: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

Список побажань
MMBV2105LT1
ON Semiconductor

MMBV2105LT1

частина: 7497

Ємність @ Vr, F: 16.5pF @ 4V, 1MHz, Співвідношення ємності: 3.2, Стан коефіцієнта ємності: C2/C30, Напруга - пік, зворотний (макс.): 30V, Тип діода: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz,

Список побажань
MV209G
ON Semiconductor

MV209G

частина: 7434

Ємність @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Співвідношення ємності: 6.5, Стан коефіцієнта ємності: C3/C25, Напруга - пік, зворотний (макс.): 30V, Тип діода: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

Список побажань
SVC236-TB-E
ON Semiconductor

SVC236-TB-E

частина: 172795

Ємність @ Vr, F: 16.84pF @ 6.5V, 1MHz, Співвідношення ємності: 5, Стан коефіцієнта ємності: C1/C6.5, Напруга - пік, зворотний (макс.): 16V, Тип діода: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 70 @ 3V, 100MHz,

Список побажань
MMBV105GLT1
ON Semiconductor

MMBV105GLT1

частина: 7466

Ємність @ Vr, F: 2.8pF @ 25V, 1MHz, Співвідношення ємності: 6.5, Стан коефіцієнта ємності: C3/C25, Напруга - пік, зворотний (макс.): 30V, Тип діода: Single, Q @ Vr, F: 250 @ 3V, 50MHz,

Список побажань
MV2105
ON Semiconductor

MV2105

частина: 4830

Ємність @ Vr, F: 16.5pF @ 4V, 1MHz, Співвідношення ємності: 3.2, Стан коефіцієнта ємності: C2/C30, Напруга - пік, зворотний (макс.): 30V, Тип діода: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz,

Список побажань
SVC230-TB-E
ON Semiconductor

SVC230-TB-E

частина: 129142

Ємність @ Vr, F: 28.2pF @ 8V, 1MHz, Співвідношення ємності: 1.75, Стан коефіцієнта ємності: C2/C8, Напруга - пік, зворотний (макс.): 16V, Тип діода: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 100 @ 3V, 100MHz,

Список побажань
MV2101
ON Semiconductor

MV2101

частина: 7532

Ємність @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz, Співвідношення ємності: 3.2, Стан коефіцієнта ємності: C2/C30, Напруга - пік, зворотний (макс.): 30V, Тип діода: Single, Q @ Vr, F: 450 @ 4V, 50MHz,

Список побажань
MMVL109T1G
ON Semiconductor

MMVL109T1G

частина: 7529

Ємність @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Співвідношення ємності: 6.5, Стан коефіцієнта ємності: C3/C25, Напруга - пік, зворотний (макс.): 30V, Тип діода: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

Список побажань
MMBV2105LT1G
ON Semiconductor

MMBV2105LT1G

частина: 7480

Ємність @ Vr, F: 16.5pF @ 4V, 1MHz, Співвідношення ємності: 3.2, Стан коефіцієнта ємності: C2/C30, Напруга - пік, зворотний (макс.): 30V, Тип діода: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz,

Список побажань
MMVL809T1G
ON Semiconductor

MMVL809T1G

частина: 7476

Ємність @ Vr, F: 6.1pF @ 2V, 1MHz, Співвідношення ємності: 2.6, Стан коефіцієнта ємності: C2/C8, Напруга - пік, зворотний (макс.): 20V, Тип діода: Single, Q @ Vr, F: 75 @ 3V, 500MHz,

Список побажань
MMBV2108LT1
ON Semiconductor

MMBV2108LT1

частина: 7527

Ємність @ Vr, F: 29.7pF @ 4V, 1MHz, Співвідношення ємності: 3.2, Стан коефіцієнта ємності: C2/C30, Напруга - пік, зворотний (макс.): 30V, Тип діода: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 4V, 50MHz,

Список побажань
SVC270-TL-E
ON Semiconductor

SVC270-TL-E

частина: 119447

Ємність @ Vr, F: 28.2pF @ 8V, 1MHz, Співвідношення ємності: 1.75, Стан коефіцієнта ємності: C2/C8, Напруга - пік, зворотний (макс.): 16V, Тип діода: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 100 @ 3V, 100MHz,

Список побажань
SVC272-TL-E
ON Semiconductor

SVC272-TL-E

частина: 157486

Ємність @ Vr, F: 18.55pF @ 8V, 1MHz, Співвідношення ємності: 2.3, Стан коефіцієнта ємності: C2/C8, Напруга - пік, зворотний (макс.): 16V, Тип діода: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 150 @ 2V, 100MHz,

Список побажань
SVC383T-TL-E
ON Semiconductor

SVC383T-TL-E

частина: 7528

Ємність @ Vr, F: 27pF @ 6.5V, 1MHz, Співвідношення ємності: 24.5, Стан коефіцієнта ємності: C1/C6.5, Напруга - пік, зворотний (макс.): 33V, Тип діода: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 200 @ 1V, 1MHz,

Список побажань
MMBV109LT1G
ON Semiconductor

MMBV109LT1G

частина: 7474

Ємність @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Співвідношення ємності: 6.5, Стан коефіцієнта ємності: C3/C25, Напруга - пік, зворотний (макс.): 30V, Тип діода: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

Список побажань
MMBV2109LT1
ON Semiconductor

MMBV2109LT1

частина: 7496

Ємність @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, Співвідношення ємності: 3.2, Стан коефіцієнта ємності: C2/C30, Напруга - пік, зворотний (макс.): 30V, Тип діода: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,

Список побажань
MMBV609LT1
ON Semiconductor

MMBV609LT1

частина: 7446

Ємність @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Співвідношення ємності: 2.4, Стан коефіцієнта ємності: C3/C8, Напруга - пік, зворотний (макс.): 20V, Тип діода: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 450 @ 3V, 50MHz,

Список побажань
MMBV432LT1
ON Semiconductor

MMBV432LT1

частина: 7461

Ємність @ Vr, F: 48.1pF @ 2V, 1MHz, Співвідношення ємності: 2, Стан коефіцієнта ємності: C2/C8, Напруга - пік, зворотний (макс.): 14V, Тип діода: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 150 @ 2V, 100MHz,

Список побажань
MMBV2109LT1G
ON Semiconductor

MMBV2109LT1G

частина: 7468

Ємність @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, Співвідношення ємності: 3.2, Стан коефіцієнта ємності: C2/C30, Напруга - пік, зворотний (макс.): 30V, Тип діода: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,

Список побажань
MV2109G
ON Semiconductor

MV2109G

частина: 7495

Ємність @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, Співвідношення ємності: 3.2, Стан коефіцієнта ємності: C2/C30, Напруга - пік, зворотний (макс.): 30V, Тип діода: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,

Список побажань
MMVL2101T1G
ON Semiconductor

MMVL2101T1G

частина: 7502

Ємність @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz, Співвідношення ємності: 3.2, Стан коефіцієнта ємності: C2/C30, Напруга - пік, зворотний (макс.): 30V, Тип діода: Single, Q @ Vr, F: 450 @ 4V, 50MHz,

Список побажань
MMBV2101LT1G
ON Semiconductor

MMBV2101LT1G

частина: 7426

Ємність @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz, Співвідношення ємності: 3.2, Стан коефіцієнта ємності: C2/C30, Напруга - пік, зворотний (макс.): 30V, Тип діода: Single, Q @ Vr, F: 450 @ 4V, 50MHz,

Список побажань
MMBV2107LT1
ON Semiconductor

MMBV2107LT1

частина: 4758

Ємність @ Vr, F: 24.2pF @ 4V, 1MHz, Співвідношення ємності: 3.2, Стан коефіцієнта ємності: C2/C30, Напруга - пік, зворотний (макс.): 30V, Тип діода: Single, Q @ Vr, F: 350 @ 4V, 50MHz,

Список побажань
MMBV109LT3
ON Semiconductor

MMBV109LT3

частина: 7449

Ємність @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Співвідношення ємності: 6.5, Стан коефіцієнта ємності: C3/C25, Напруга - пік, зворотний (макс.): 30V, Тип діода: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

Список побажань
MV2109RLRAG
ON Semiconductor

MV2109RLRAG

частина: 7459

Ємність @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, Співвідношення ємності: 3.2, Стан коефіцієнта ємності: C2/C30, Напруга - пік, зворотний (макс.): 30V, Тип діода: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,

Список побажань
MMBV809LT1
ON Semiconductor

MMBV809LT1

частина: 7482

Ємність @ Vr, F: 6.1pF @ 2V, 1MHz, Співвідношення ємності: 2.6, Стан коефіцієнта ємності: C2/C8, Напруга - пік, зворотний (макс.): 20V, Тип діода: Single, Q @ Vr, F: 75 @ 3V, 500MHz,

Список побажань
MMBV2107LT1G
ON Semiconductor

MMBV2107LT1G

частина: 7528

Ємність @ Vr, F: 24.2pF @ 4V, 1MHz, Співвідношення ємності: 3.2, Стан коефіцієнта ємності: C2/C30, Напруга - пік, зворотний (макс.): 30V, Тип діода: Single, Q @ Vr, F: 350 @ 4V, 50MHz,

Список побажань