Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні

  • Додому
  •  
  • Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні
15C01C-TB-E
ON Semiconductor

15C01C-TB-E

частина: 132125

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 700mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Список побажань
12A02CH-TL-E
ON Semiconductor

12A02CH-TL-E

частина: 166577

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 12V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 240mV @ 20mA, 400mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Список побажань
15C02MH-TL-E
ON Semiconductor

15C02MH-TL-E

частина: 190997

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 280mV @ 20mA, 400mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V,

Список побажань
12A02MH-TL-E
ON Semiconductor

12A02MH-TL-E

частина: 102598

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 12V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 240mV @ 20mA, 400mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Список побажань
15C02CH-TL-E
ON Semiconductor

15C02CH-TL-E

частина: 144964

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 280mV @ 20mA, 400mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V,

Список побажань
15C01SS-TL-E
ON Semiconductor

15C01SS-TL-E

частина: 155356

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Список побажань
15C01M-TL-E
ON Semiconductor

15C01M-TL-E

частина: 140846

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 700mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Список побажань
2N5038G
ON Semiconductor

2N5038G

частина: 7620

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 90V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5A, 20A, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 20 @ 12A, 5V,

Список побажань
2N6341G
ON Semiconductor

2N6341G

частина: 6139

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 150V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.8V @ 2.5A, 25A, Струм - відсікання колектора (макс.): 50µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 10A, 2V,

Список побажань
2N5684G
ON Semiconductor

2N5684G

частина: 7987

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V,

Список побажань
2SB1202T-E
ON Semiconductor

2SB1202T-E

частина: 150433

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Список побажань
2SB817C-1E
ON Semiconductor

2SB817C-1E

частина: 24451

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 12A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 140V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V,

Список побажань
2N5883G
ON Semiconductor

2N5883G

частина: 17760

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A, Струм - відсікання колектора (макс.): 2mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V,

Список побажань
2SC5658M3T5G
ON Semiconductor

2SC5658M3T5G

частина: 165547

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 60mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 500nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Список побажань
2SC5706-TL-E
ON Semiconductor

2SC5706-TL-E

частина: 193807

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

Список побажань
2SB815-7-TB-E
ON Semiconductor

2SB815-7-TB-E

частина: 148429

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 700mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V,

Список побажань
2N4403TF
ON Semiconductor

2N4403TF

частина: 165392

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Список побажань
2SD1623S-TD-E
ON Semiconductor

2SD1623S-TD-E

частина: 167700

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V,

Список побажань
2SC3646S-TD-E
ON Semiconductor

2SC3646S-TD-E

частина: 157334

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Список побажань
2SC4027S-TL-H
ON Semiconductor

2SC4027S-TL-H

частина: 134234

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 160V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V,

Список побажань
2SA1417S-TD-E
ON Semiconductor

2SA1417S-TD-E

частина: 124066

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Список побажань
2SC3647S-TD-E
ON Semiconductor

2SC3647S-TD-E

частина: 188767

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Список побажань
2SC4027S-TL-E
ON Semiconductor

2SC4027S-TL-E

частина: 130800

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 160V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Список побажань
2SC3649S-TD-E
ON Semiconductor

2SC3649S-TD-E

частина: 144860

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 160V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Список побажань
2SD1815S-TL-E
ON Semiconductor

2SD1815S-TL-E

частина: 193808

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V,

Список побажань
2SA2125-TD-E
ON Semiconductor

2SA2125-TD-E

частина: 140184

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Список побажань
2SA1418S-TD-E
ON Semiconductor

2SA1418S-TD-E

частина: 180384

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 700mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 160V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Список побажань
2SA1419S-TD-E
ON Semiconductor

2SA1419S-TD-E

частина: 105790

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 160V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Список побажань
2SB1302T-TD-E
ON Semiconductor

2SB1302T-TD-E

частина: 188214

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 20V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 500nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

Список побажань
2SA2040-TL-E
ON Semiconductor

2SA2040-TL-E

частина: 158771

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

Список побажань
2SC5707-TL-E
ON Semiconductor

2SC5707-TL-E

частина: 197938

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

Список побажань
2N6517BU
ON Semiconductor

2N6517BU

частина: 183752

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 350V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V,

Список побажань
2N3772G
ON Semiconductor

2N3772G

частина: 16915

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 20A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 4A, 20A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 4V,

Список побажань
2N5886G
ON Semiconductor

2N5886G

частина: 18765

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A, Струм - відсікання колектора (макс.): 2mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V,

Список побажань
2N6292G
ON Semiconductor

2N6292G

частина: 79680

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 7A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 70V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 4V,

Список побажань
2SA2039-H
ON Semiconductor

2SA2039-H

частина: 170409

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 430mV @ 100mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

Список побажань