Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні

  • Додому
  •  
  • Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні
MJE802G
ON Semiconductor

MJE802G

частина: 124162

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V,

Список побажань
MPSA12RLRP
ON Semiconductor

MPSA12RLRP

частина: 6700

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 20V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 10µA, 10mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 20000 @ 10mA, 5V,

Список побажань
MJL0302A
ON Semiconductor

MJL0302A

частина: 6382

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 15A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 260V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V,

Список побажань
MJE271
ON Semiconductor

MJE271

частина: 6411

Транзисторний тип: PNP - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 1mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V,

Список побажань
NJVMJD44H11T4G-VF01
ON Semiconductor

NJVMJD44H11T4G-VF01

частина: 198847

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

Список побажань
P2N2907AZL1G
ON Semiconductor

P2N2907AZL1G

частина: 6429

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Список побажань
NSV12100UW3TCG
ON Semiconductor

NSV12100UW3TCG

частина: 129179

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 12V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

Список побажань
MJD31CG
ON Semiconductor

MJD31CG

частина: 152568

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 50µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

Список побажань
KSD1588OTU
ON Semiconductor

KSD1588OTU

частина: 6116

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 7A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 3A, 1V,

Список побажань
KSB708RTU
ON Semiconductor

KSB708RTU

частина: 6144

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 7A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 3A, 1V,

Список побажань
CPH3115-TL-E
ON Semiconductor

CPH3115-TL-E

частина: 144891

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 375mV @ 15mA, 750mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Список побажань
SBC857BWT1G
ON Semiconductor

SBC857BWT1G

частина: 122331

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Список побажань
TIP107TU
ON Semiconductor

TIP107TU

частина: 79673

Транзисторний тип: PNP - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A, Струм - відсікання колектора (макс.): 50µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V,

Список побажань
MPS3702_D26Z
ON Semiconductor

MPS3702_D26Z

частина: 6463

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

Список побажань
MPSA28RLRP
ON Semiconductor

MPSA28RLRP

частина: 6385

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 500nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Список побажань
MPS2222RLRA
ON Semiconductor

MPS2222RLRA

частина: 6350

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Список побажань
MJF2955
ON Semiconductor

MJF2955

частина: 6406

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 90V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 3.3A, 10A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

Список побажань
MPS6513_D26Z
ON Semiconductor

MPS6513_D26Z

частина: 6477

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 90 @ 2mA, 10V,

Список побажань
FJP5554
ON Semiconductor

FJP5554

частина: 6448

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 250µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 20 @ 800mA, 3V,

Список побажань
MPS750RLRA
ON Semiconductor

MPS750RLRA

частина: 6357

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V,

Список побажань
MPSA13G
ON Semiconductor

MPSA13G

частина: 6442

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Список побажань
SBCP56-10T1G
ON Semiconductor

SBCP56-10T1G

частина: 184982

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Список побажань
PN100_D26Z
ON Semiconductor

PN100_D26Z

частина: 6587

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 5V,

Список побажань
NJVMJD117T4G
ON Semiconductor

NJVMJD117T4G

частина: 164623

Транзисторний тип: PNP - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Струм - відсікання колектора (макс.): 20µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V,

Список побажань
MPSA63G
ON Semiconductor

MPSA63G

частина: 6383

Транзисторний тип: PNP - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Список побажань
NSCT817-40LT1G
ON Semiconductor

NSCT817-40LT1G

частина: 6397

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

Список побажань
MCH6101-TL-E
ON Semiconductor

MCH6101-TL-E

частина: 101257

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 180mV @ 15mA, 750mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Список побажань
MMBT6521LT1G
ON Semiconductor

MMBT6521LT1G

частина: 164647

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 500nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 300 @ 2mA, 10V,

Список побажань
MJD2955-1G
ON Semiconductor

MJD2955-1G

частина: 6406

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A, Струм - відсікання колектора (макс.): 50µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

Список побажань
KSD1221OTU
ON Semiconductor

KSD1221OTU

частина: 6728

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 5V,

Список побажань
MMJT9435T3G
ON Semiconductor

MMJT9435T3G

частина: 6367

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 125 @ 800mA, 1V,

Список побажань
FJAF6808DTU
ON Semiconductor

FJAF6808DTU

частина: 6615

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 750V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 5V @ 1.2A, 5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 4.5 @ 5A, 5V,

Список побажань
MMBTA13_D87Z
ON Semiconductor

MMBTA13_D87Z

частина: 6496

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Список побажань
MPS6523_D26Z
ON Semiconductor

MPS6523_D26Z

частина: 6530

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 300 @ 2mA, 10V,

Список побажань
NSCT3904LT3G
ON Semiconductor

NSCT3904LT3G

частина: 6409

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Список побажань
MPS3702_D75Z
ON Semiconductor

MPS3702_D75Z

частина: 6543

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

Список побажань