Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні

  • Додому
  •  
  • Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні
FJP5021OTU
ON Semiconductor

FJP5021OTU

частина: 6084

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 500V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 20 @ 600mA, 5V,

Список побажань
D45C12
ON Semiconductor

D45C12

частина: 6338

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V,

Список побажань
TIP142FTU
ON Semiconductor

TIP142FTU

частина: 6077

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A, Струм - відсікання колектора (макс.): 2mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

Список побажань
KSC5030FRTU
ON Semiconductor

KSC5030FRTU

частина: 6533

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 6A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 800V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 600mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 10 @ 600mA, 5V,

Список побажань
MPS6515_D26Z
ON Semiconductor

MPS6515_D26Z

частина: 6538

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 10V,

Список побажань
MMBTA06_D87Z
ON Semiconductor

MMBTA06_D87Z

частина: 6497

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Список побажань
MJE200STU
ON Semiconductor

MJE200STU

частина: 162780

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V,

Список побажань
MPS2222ARL
ON Semiconductor

MPS2222ARL

частина: 6427

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Список побажань
MPSA44G
ON Semiconductor

MPSA44G

частина: 6434

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 300mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 500nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V,

Список побажань
FJP5355TU
ON Semiconductor

FJP5355TU

частина: 6086

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 440V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 800mA, 2.5A, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 7 @ 2.5A, 2V,

Список побажань
FJAF6810DTU
ON Semiconductor

FJAF6810DTU

частина: 6171

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 750V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 1.5A, 6A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 5 @ 6A, 5V,

Список побажань
SNSS20101JT1G
ON Semiconductor

SNSS20101JT1G

частина: 187680

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 20V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Список побажань
MJF31C
ON Semiconductor

MJF31C

частина: 5744

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 300µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

Список побажань
KSB1149YSTU
ON Semiconductor

KSB1149YSTU

частина: 6375

Транзисторний тип: PNP - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 1.5mA, 1.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 4000 @ 1.5A, 2V,

Список побажань
MPS6521RLRA
ON Semiconductor

MPS6521RLRA

частина: 6358

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 300 @ 2mA, 10V,

Список побажань
CPH3122-TL-E
ON Semiconductor

CPH3122-TL-E

частина: 130319

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 180mV @ 75mA, 1.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

Список побажань
MPSA42ZL1
ON Semiconductor

MPSA42ZL1

частина: 6426

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 300V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V,

Список побажань
PN100_D27Z
ON Semiconductor

PN100_D27Z

частина: 6558

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 5V,

Список побажань
MJW21191G
ON Semiconductor

MJW21191G

частина: 6376

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 150V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V,

Список побажань
MPS3646RLRAG
ON Semiconductor

MPS3646RLRAG

частина: 6445

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 300mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 30mA, 300mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 500nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 400mV,

Список побажань
KSB811OBU
ON Semiconductor

KSB811OBU

частина: 6384

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Список побажань
MPS8099RLRM
ON Semiconductor

MPS8099RLRM

частина: 6408

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Список побажань
MCH3109-TL-E
ON Semiconductor

MCH3109-TL-E

частина: 161281

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 155mV @ 75mA, 1.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

Список побажань
MPSA55_D27Z
ON Semiconductor

MPSA55_D27Z

частина: 6494

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Список побажань
MPSA92_D74Z
ON Semiconductor

MPSA92_D74Z

частина: 6590

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 300V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 250nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V,

Список побажань
NSS30071MR6T1G
ON Semiconductor

NSS30071MR6T1G

частина: 156556

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 700mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V,

Список побажань
NSCT817-25LT3G
ON Semiconductor

NSCT817-25LT3G

частина: 6484

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Список побажань
MPS8098_D75Z
ON Semiconductor

MPS8098_D75Z

частина: 6524

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Список побажань
MJE210TG
ON Semiconductor

MJE210TG

частина: 6344

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V,

Список побажань
MPS650RLRA
ON Semiconductor

MPS650RLRA

частина: 6406

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V,

Список побажань
MPS4250G
ON Semiconductor

MPS4250G

частина: 6380

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V,

Список побажань
FJP13007
ON Semiconductor

FJP13007

частина: 6146

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V,

Список побажань
MMBT6520LT3G
ON Semiconductor

MMBT6520LT3G

частина: 6365

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 350V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V,

Список побажань
FJPF5555TU
ON Semiconductor

FJPF5555TU

частина: 6165

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 20 @ 800mA, 3V,

Список побажань
FJAF6810TU
ON Semiconductor

FJAF6810TU

частина: 6169

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 750V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 1.5A, 6A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 5 @ 6A, 5V,

Список побажань
FJAF6810DYDTBTU
ON Semiconductor

FJAF6810DYDTBTU

частина: 5732

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 750V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 1.5A, 6A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 5 @ 6A, 5V,

Список побажань