Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні

  • Додому
  •  
  • Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні
FJX992TF
ON Semiconductor

FJX992TF

частина: 123840

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 120V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Список побажань
FJPF5021O
ON Semiconductor

FJPF5021O

частина: 6070

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 500V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 20 @ 600mA, 5V,

Список побажань
MJD253T4G
ON Semiconductor

MJD253T4G

частина: 143073

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V,

Список побажань
NJW3281G
ON Semiconductor

NJW3281G

частина: 27850

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 15A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 250V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 800mA, 8A, Струм - відсікання колектора (макс.): 50µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V,

Список побажань
NSVMMBT3906TT1G
ON Semiconductor

NSVMMBT3906TT1G

частина: 174975

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Список побажань
FJAF4210YTU
ON Semiconductor

FJAF4210YTU

частина: 35767

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 140V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 90 @ 3A, 4V,

Список побажань
KSH127TM
ON Semiconductor

KSH127TM

частина: 158308

Транзисторний тип: PNP - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V,

Список побажань
MJD5731T4
ON Semiconductor

MJD5731T4

частина: 6330

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 350V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

Список побажань
FJP5027O
ON Semiconductor

FJP5027O

частина: 6107

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 800V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V,

Список побажань
MPSA56RLRPG
ON Semiconductor

MPSA56RLRPG

частина: 6446

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Список побажань
MCH6102-TL-E
ON Semiconductor

MCH6102-TL-E

частина: 167629

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 375mV @ 15mA, 750mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Список побажань
NJL21194DG
ON Semiconductor

NJL21194DG

частина: 6396

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 16A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 250V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V,

Список побажань
PZT2907AT3
ON Semiconductor

PZT2907AT3

частина: 6484

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Список побажань
FSB6714
ON Semiconductor

FSB6714

частина: 6475

Транзисторний тип: NPN, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V,

Список побажань
MPS2369A
ON Semiconductor

MPS2369A

частина: 6432

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 400nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V,

Список побажань
MPSA93_D27Z
ON Semiconductor

MPSA93_D27Z

частина: 6501

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 200V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 250nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V,

Список побажань
PN100A_D26Z
ON Semiconductor

PN100A_D26Z

частина: 6708

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 1V,

Список побажань
MPSA64RLRMG
ON Semiconductor

MPSA64RLRMG

частина: 6456

Транзисторний тип: PNP - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Список побажань
MPSA06RL1
ON Semiconductor

MPSA06RL1

частина: 6441

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Список побажань
MPSA42RLRFG
ON Semiconductor

MPSA42RLRFG

частина: 6370

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 300V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V,

Список побажань
MJE18004D2G
ON Semiconductor

MJE18004D2G

частина: 6380

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 450V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 400mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 6 @ 2A, 1V,

Список побажань
P2N2222AZL1G
ON Semiconductor

P2N2222AZL1G

частина: 6415

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Список побажань
KSH44H11TM
ON Semiconductor

KSH44H11TM

частина: 182291

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

Список побажань
MJD31CTF_NBDD001
ON Semiconductor

MJD31CTF_NBDD001

частина: 6516

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 50µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

Список побажань
MJD44H11T5G
ON Semiconductor

MJD44H11T5G

частина: 129504

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

Список побажань
NJVMJD112T4G
ON Semiconductor

NJVMJD112T4G

частина: 138776

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Струм - відсікання колектора (макс.): 20µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V,

Список побажань
KSC2335OTU
ON Semiconductor

KSC2335OTU

частина: 6107

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 7A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 5V,

Список побажань
KSB707RTU
ON Semiconductor

KSB707RTU

частина: 6068

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 7A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 3A, 1V,

Список побажань
MPSA06_D75Z
ON Semiconductor

MPSA06_D75Z

частина: 6529

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Список побажань
PN2222AG
ON Semiconductor

PN2222AG

частина: 6433

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Список побажань
MMBT6427LT3G
ON Semiconductor

MMBT6427LT3G

частина: 6412

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Список побажань
P2N2907ARL1G
ON Semiconductor

P2N2907ARL1G

частина: 6406

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Список побажань
NSS35200MR6T1G
ON Semiconductor

NSS35200MR6T1G

частина: 107557

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 35V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V,

Список побажань
KSC5504DTM
ON Semiconductor

KSC5504DTM

частина: 6172

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 600V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 400mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 4 @ 2A, 1V,

Список побажань
MMBT3904_D87Z
ON Semiconductor

MMBT3904_D87Z

частина: 5761

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Список побажань
MPS8099RLRPG
ON Semiconductor

MPS8099RLRPG

частина: 6431

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Список побажань