Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні

  • Додому
  •  
  • Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні
MJL21194G
ON Semiconductor

MJL21194G

частина: 14687

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 16A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 250V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V,

Список побажань
MJD127G
ON Semiconductor

MJD127G

частина: 114431

Транзисторний тип: PNP - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V,

Список побажань
NSS20601CF8T1G
ON Semiconductor

NSS20601CF8T1G

частина: 122715

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 6A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 20V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 130mV @ 400mA, 4A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V,

Список побажань
TIP126TU
ON Semiconductor

TIP126TU

частина: 182284

Транзисторний тип: PNP - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 2mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V,

Список побажань
MJE4343G
ON Semiconductor

MJE4343G

частина: 21542

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 16A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 160V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A, Струм - відсікання колектора (макс.): 750µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V,

Список побажань
NJW1302G
ON Semiconductor

NJW1302G

частина: 27844

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 15A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 250V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 800mA, 8A, Струм - відсікання колектора (макс.): 50µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V,

Список побажань
MJL21193G
ON Semiconductor

MJL21193G

частина: 14638

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 16A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 250V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V,

Список побажань
KSC2333YTU
ON Semiconductor

KSC2333YTU

частина: 194098

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 5V,

Список побажань
FJA4313OTU
ON Semiconductor

FJA4313OTU

частина: 36806

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 17A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 250V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Струм - відсікання колектора (макс.): 500nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 35 @ 7A, 5V,

Список побажань
TIP147FTU
ON Semiconductor

TIP147FTU

частина: 39662

Транзисторний тип: PNP - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A, Струм - відсікання колектора (макс.): 2mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

Список побажань
TIP36AG
ON Semiconductor

TIP36AG

частина: 29324

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 25A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 5A, 25A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 4V,

Список побажань
NZT902
ON Semiconductor

NZT902

частина: 146710

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 90V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 2V,

Список побажань
NSVMSD42WT1G
ON Semiconductor

NSVMSD42WT1G

частина: 173136

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 300V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V,

Список побажань
MJL21195G
ON Semiconductor

MJL21195G

частина: 15487

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 16A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 250V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V,

Список побажань
TIP41CTU
ON Semiconductor

TIP41CTU

частина: 116243

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 6A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, Струм - відсікання колектора (макс.): 700µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

Список побажань
MJF47G
ON Semiconductor

MJF47G

частина: 53548

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 250V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 200µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

Список побажань
FJPF13007H2TU
ON Semiconductor

FJPF13007H2TU

частина: 81424

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 26 @ 2A, 5V,

Список побажань
MJD31C1G
ON Semiconductor

MJD31C1G

частина: 166512

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 50µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

Список побажань
NJVMJD31CG
ON Semiconductor

NJVMJD31CG

частина: 108113

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 50µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

Список побажань
MJ15022G
ON Semiconductor

MJ15022G

частина: 12606

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 16A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 200V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A, Струм - відсікання колектора (макс.): 500µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 4V,

Список побажань
KSE13003TH1ATU
ON Semiconductor

KSE13003TH1ATU

частина: 191464

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 9 @ 500mA, 2V,

Список побажань
SMMBT2222ALT3G
ON Semiconductor

SMMBT2222ALT3G

частина: 107789

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Список побажань
MJD243G
ON Semiconductor

MJD243G

частина: 89361

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V,

Список побажань
MJL4281AG
ON Semiconductor

MJL4281AG

частина: 11732

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 15A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 350V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 80 @ 5A, 5V,

Список побажань
MJ21196G
ON Semiconductor

MJ21196G

частина: 17431

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 16A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 250V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V,

Список побажань
TIP111TU
ON Semiconductor

TIP111TU

частина: 180188

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 2mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V,

Список побажань
MJ15015G
ON Semiconductor

MJ15015G

частина: 12020

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 15A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 120V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 5V @ 7A, 15A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 10 @ 4A, 2V,

Список побажань
MJL1302AG
ON Semiconductor

MJL1302AG

частина: 20570

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 15A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 260V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A, Струм - відсікання колектора (макс.): 50µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V,

Список побажань
KSD1588YTU
ON Semiconductor

KSD1588YTU

частина: 74035

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 7A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 3A, 1V,

Список побажань
KSB834WYTM
ON Semiconductor

KSB834WYTM

частина: 151038

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Список побажань
NJVNJD35N04G
ON Semiconductor

NJVNJD35N04G

частина: 183335

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 350V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 50µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Список побажань
TIP47G
ON Semiconductor

TIP47G

частина: 109297

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 250V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

Список побажань
NJW0281G
ON Semiconductor

NJW0281G

частина: 27913

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 15A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 250V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V,

Список побажань
MJE2955TG
ON Semiconductor

MJE2955TG

частина: 79642

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A, Струм - відсікання колектора (макс.): 700µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

Список побажань
MJ4502G
ON Semiconductor

MJ4502G

частина: 17217

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 30A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1mA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 25 @ 7.5A, 2V,

Список побажань
TIP30CG
ON Semiconductor

TIP30CG

частина: 128525

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 300µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V,

Список побажань