Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні

  • Додому
  •  
  • Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні
MJD42C1G
ON Semiconductor

MJD42C1G

частина: 107781

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 6A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, Струм - відсікання колектора (макс.): 50µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

Список побажань
NSS1C201MZ4T1G
ON Semiconductor

NSS1C201MZ4T1G

частина: 157015

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V,

Список побажань
TIP29AG
ON Semiconductor

TIP29AG

частина: 102696

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 300µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V,

Список побажань
TIP30CTU
ON Semiconductor

TIP30CTU

частина: 89372

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 300µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V,

Список побажань
TIP142G
ON Semiconductor

TIP142G

частина: 42589

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A, Струм - відсікання колектора (макс.): 2mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

Список побажань
TIP121G
ON Semiconductor

TIP121G

частина: 107776

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 500µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V,

Список побажань
KSE44H11
ON Semiconductor

KSE44H11

частина: 81441

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V,

Список побажань
MJ21194G
ON Semiconductor

MJ21194G

частина: 12633

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 16A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 250V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V,

Список побажань
MJB42CT4G
ON Semiconductor

MJB42CT4G

частина: 102840

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 6A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, Струм - відсікання колектора (макс.): 700µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

Список побажань
KSA473YTU
ON Semiconductor

KSA473YTU

частина: 91632

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V,

Список побажань
FJPF13009H2TU
ON Semiconductor

FJPF13009H2TU

частина: 63183

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 12A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V,

Список побажань
MJE181STU
ON Semiconductor

MJE181STU

частина: 149485

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V,

Список побажань
MJB41CG
ON Semiconductor

MJB41CG

частина: 57268

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 6A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, Струм - відсікання колектора (макс.): 700µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

Список побажань
SPZT751T1G
ON Semiconductor

SPZT751T1G

частина: 198667

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V,

Список побажань
FJA4213RTU
ON Semiconductor

FJA4213RTU

частина: 35973

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 17A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 250V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Струм - відсікання колектора (макс.): 5µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V,

Список побажань
NSS40300MZ4T1G
ON Semiconductor

NSS40300MZ4T1G

частина: 156541

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V,

Список побажань
MSB92ASWT1G
ON Semiconductor

MSB92ASWT1G

частина: 143517

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 300V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 250nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 10V,

Список побажань
MJ21195G
ON Semiconductor

MJ21195G

частина: 17403

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 16A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 250V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V,

Список побажань
SPZT651T1G
ON Semiconductor

SPZT651T1G

частина: 198496

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V,

Список побажань
FJI5603DTU
ON Semiconductor

FJI5603DTU

частина: 51637

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 800V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 200mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V,

Список побажань
NSS1C200MZ4T1G
ON Semiconductor

NSS1C200MZ4T1G

частина: 176954

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V,

Список побажань
SBCP53-10T1G
ON Semiconductor

SBCP53-10T1G

частина: 152268

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Список побажань
NJW21194G
ON Semiconductor

NJW21194G

частина: 26322

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 16A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 250V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V,

Список побажань
MJ21193G
ON Semiconductor

MJ21193G

частина: 12632

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 16A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 250V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V,

Список побажань
FJAF4210OTU
ON Semiconductor

FJAF4210OTU

частина: 37991

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 140V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V,

Список побажань
MMBT3906LT3G
ON Semiconductor

MMBT3906LT3G

частина: 170448

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Список побажань
NZT44H8
ON Semiconductor

NZT44H8

частина: 169630

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

Список побажань
KSC2073H2TU
ON Semiconductor

KSC2073H2TU

частина: 114488

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 150V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 10V,

Список побажань
TIP112G
ON Semiconductor

TIP112G

частина: 122524

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 2mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V,

Список побажань
MJE170G
ON Semiconductor

MJE170G

частина: 128505

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V,

Список побажань
MJ15016G
ON Semiconductor

MJ15016G

частина: 24302

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 15A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 120V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 5V @ 7A, 15A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 10 @ 4A, 2V,

Список побажань
MJE15032G
ON Semiconductor

MJE15032G

частина: 46446

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 250V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V,

Список побажань
MJB44H11G
ON Semiconductor

MJB44H11G

частина: 62132

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

Список побажань
TIP147TTU
ON Semiconductor

TIP147TTU

частина: 67881

Транзисторний тип: PNP - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A, Струм - відсікання колектора (макс.): 2mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

Список побажань
KSC5338D
ON Semiconductor

KSC5338D

частина: 73968

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 450V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 6 @ 2A, 1V,

Список побажань
FJA13009TU
ON Semiconductor

FJA13009TU

частина: 46059

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 12A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V,

Список побажань