Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні

  • Додому
  •  
  • Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні
BD682TG
ON Semiconductor

BD682TG

частина: 6395

Транзисторний тип: PNP - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 500µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V,

Список побажань
BD676A
ON Semiconductor

BD676A

частина: 6396

Транзисторний тип: PNP - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 500µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

Список побажань
BD676
ON Semiconductor

BD676

частина: 5664

Транзисторний тип: PNP - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 500µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V,

Список побажань
BD675A
ON Semiconductor

BD675A

частина: 6326

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 500µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

Список побажань
BD675
ON Semiconductor

BD675

частина: 6658

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 500µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V,

Список побажань
BD441
ON Semiconductor

BD441

частина: 6309

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V,

Список побажань
BD442
ON Semiconductor

BD442

частина: 6394

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V,

Список побажань
BD440G
ON Semiconductor

BD440G

частина: 6326

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V,

Список побажань
BD440
ON Semiconductor

BD440

частина: 5666

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V,

Список побажань
BD439
ON Semiconductor

BD439

частина: 6319

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V,

Список побажань
BD243CG
ON Semiconductor

BD243CG

частина: 72552

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 6A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A, Струм - відсікання колектора (макс.): 700µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

Список побажань
BD438G
ON Semiconductor

BD438G

частина: 6370

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 300mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V,

Список побажань
BD437T
ON Semiconductor

BD437T

частина: 6319

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V,

Список побажань
BD435
ON Semiconductor

BD435

частина: 6306

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 32V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V,

Список побажань
BD234
ON Semiconductor

BD234

частина: 6314

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V,

Список побажань
BD179
ON Semiconductor

BD179

частина: 6360

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 100mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Список побажань
BD159
ON Semiconductor

BD159

частина: 6345

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 350V, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

Список побажань
BD138
ON Semiconductor

BD138

частина: 6296

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Список побажань
BCX71JLT1
ON Semiconductor

BCX71JLT1

частина: 6359

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 20nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BCX17LT3G
ON Semiconductor

BCX17LT3G

частина: 6663

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 620mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Список побажань
BCX18LT1G
ON Semiconductor

BCX18LT1G

частина: 6715

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 620mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Список побажань
BCW70LT1
ON Semiconductor

BCW70LT1

частина: 6376

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BCW72LT1
ON Semiconductor

BCW72LT1

частина: 6378

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BCW66GLT1
ON Semiconductor

BCW66GLT1

частина: 6339

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 20nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Список побажань
BCW65CLT1
ON Semiconductor

BCW65CLT1

частина: 6387

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 32V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 20nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

Список побажань
BCW65ALT1
ON Semiconductor

BCW65ALT1

частина: 6329

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 32V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 20nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Список побажань
BC859CLT1G
ON Semiconductor

BC859CLT1G

частина: 6358

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BCW33LT1
ON Semiconductor

BCW33LT1

частина: 6323

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 32V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC859BLT3G
ON Semiconductor

BC859BLT3G

частина: 6340

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC859CLT1
ON Semiconductor

BC859CLT1

частина: 6344

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC859BLT1G
ON Semiconductor

BC859BLT1G

частина: 6358

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC858BWT1
ON Semiconductor

BC858BWT1

частина: 6367

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC858AWT1
ON Semiconductor

BC858AWT1

частина: 6298

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC858ALT1
ON Semiconductor

BC858ALT1

частина: 6348

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC857BWT1
ON Semiconductor

BC857BWT1

частина: 6290

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BC857CWT1
ON Semiconductor

BC857CWT1

частина: 6314

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Список побажань