Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні

  • Додому
  •  
  • Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні
BUH150G
ON Semiconductor

BUH150G

частина: 6382

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 15A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 700V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 5V @ 4A, 20A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 8 @ 10A, 5V,

Список побажань
BUH100G
ON Semiconductor

BUH100G

частина: 6332

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 400V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 1.5A, 7A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V,

Список побажань
BUD42DG
ON Semiconductor

BUD42DG

частина: 6405

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 350V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V,

Список побажань
BUD42D-1G
ON Semiconductor

BUD42D-1G

частина: 6395

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 350V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V,

Список побажань
BUB323Z
ON Semiconductor

BUB323Z

частина: 6405

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 350V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.7V @ 250mA, 10A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 500 @ 5A, 4.6V,

Список побажань
BUD42D
ON Semiconductor

BUD42D

частина: 6330

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 350V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 2A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V,

Список побажань
BSV52LT1
ON Semiconductor

BSV52LT1

частина: 6323

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 12V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V,

Список побажань
BU323Z
ON Semiconductor

BU323Z

частина: 6401

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 350V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.7V @ 250mA, 10A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 500 @ 5A, 4.6V,

Список побажань
BSS64LT1
ON Semiconductor

BSS64LT1

частина: 6393

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V,

Список побажань
BSP52T3
ON Semiconductor

BSP52T3

частина: 6692

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V,

Список побажань
BC308ATFR
ON Semiconductor

BC308ATFR

частина: 6379

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BSP16T1
ON Semiconductor

BSP16T1

частина: 6367

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 300V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

Список побажань
BF721T1
ON Semiconductor

BF721T1

частина: 6328

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 300V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 5mA, 30mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V,

Список побажань
BF493SG
ON Semiconductor

BF493SG

частина: 6359

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 350V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 2mA, 20mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 10V,

Список побажань
BF720T3G
ON Semiconductor

BF720T3G

частина: 6333

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 300V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 30mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V,

Список побажань
BC639_D75Z
ON Semiconductor

BC639_D75Z

частина: 6404

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Список побажань
BF493S
ON Semiconductor

BF493S

частина: 6369

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 350V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 2mA, 20mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 10V,

Список побажань
BF423ZL1
ON Semiconductor

BF423ZL1

частина: 5675

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 250V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V,

Список побажань
BF422ZL1G
ON Semiconductor

BF422ZL1G

частина: 6311

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 250V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V,

Список побажань
BF423G
ON Semiconductor

BF423G

частина: 6360

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 250V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V,

Список побажань
BC33825BU
ON Semiconductor

BC33825BU

частина: 6310

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Список побажань
BC237BTFR
ON Semiconductor

BC237BTFR

частина: 6356

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 45V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 15nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V,

Список побажань
BF422ZL1
ON Semiconductor

BF422ZL1

частина: 6382

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 250V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V,

Список побажань
BF422
ON Semiconductor

BF422

частина: 6368

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 250V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V,

Список побажань
BF422G
ON Semiconductor

BF422G

частина: 6366

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 250V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V,

Список побажань
BF421ZL1G
ON Semiconductor

BF421ZL1G

частина: 6367

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 300V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V,

Список побажань
BF421ZL1
ON Semiconductor

BF421ZL1

частина: 6380

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 300V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V,

Список побажань
BF420ZL1G
ON Semiconductor

BF420ZL1G

частина: 6374

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 300V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V,

Список побажань
BF393ZL1G
ON Semiconductor

BF393ZL1G

частина: 6336

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 300V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 2mA, 20mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 10V,

Список побажань
BF393ZL1
ON Semiconductor

BF393ZL1

частина: 6316

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 300V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 2mA, 20mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 10V,

Список побажань
BF393G
ON Semiconductor

BF393G

частина: 6355

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 300V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 2mA, 20mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 10V,

Список побажань
BDW42
ON Semiconductor

BDW42

частина: 6387

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 15A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 50mA, 10A, Струм - відсікання колектора (макс.): 2mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

Список побажань
BDV64B
ON Semiconductor

BDV64B

частина: 6342

Транзисторний тип: PNP - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

Список побажань
BDC01DRL1G
ON Semiconductor

BDC01DRL1G

частина: 6398

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 1A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 1V,

Список побажань
BD810
ON Semiconductor

BD810

частина: 6391

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.1V @ 300mA, 3A, Струм - відсікання колектора (макс.): 1mA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V,

Список побажань
BD787
ON Semiconductor

BD787

частина: 6713

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 60V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 800mA, 4A, Струм - відсікання колектора (макс.): 100µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 3V,

Список побажань