Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні

  • Додому
  •  
  • Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні
2N5400RA
ON Semiconductor

2N5400RA

частина: 5675

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 120V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V,

Список побажань
2N5400_D75Z
ON Semiconductor

2N5400_D75Z

частина: 6565

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 120V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V,

Список побажань
2N5366_D26Z
ON Semiconductor

2N5366_D26Z

частина: 5720

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 30mA, 300mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 1V,

Список побажань
2N5308_D75Z
ON Semiconductor

2N5308_D75Z

частина: 5743

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V,

Список побажань
2N5308_D74Z
ON Semiconductor

2N5308_D74Z

частина: 5679

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V,

Список побажань
2N5172_D74Z
ON Semiconductor

2N5172_D74Z

частина: 5733

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V,

Список побажань
2N5210_J05Z
ON Semiconductor

2N5210_J05Z

частина: 5694

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V,

Список побажань
2N5089TAR
ON Semiconductor

2N5089TAR

частина: 5735

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V,

Список побажань
2N5172_D27Z
ON Semiconductor

2N5172_D27Z

частина: 5689

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V,

Список побажань
2N5089_J18Z
ON Semiconductor

2N5089_J18Z

частина: 5732

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V,

Список побажань
2N5087TAR
ON Semiconductor

2N5087TAR

частина: 6641

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V,

Список побажань
2N5088_D11Z
ON Semiconductor

2N5088_D11Z

частина: 5700

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V,

Список побажань
2N5087_J18Z
ON Semiconductor

2N5087_J18Z

частина: 5674

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V,

Список побажань
2N4953
ON Semiconductor

2N4953

частина: 6655

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 200 @ 150mA, 10V,

Список побажань
2N4402TAR
ON Semiconductor

2N4402TAR

частина: 5733

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 2V,

Список побажань
2N4401_S00Z
ON Semiconductor

2N4401_S00Z

частина: 5738

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V,

Список побажань
2N4401_J61Z
ON Semiconductor

2N4401_J61Z

частина: 5683

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V,

Список побажань
2N4401_J18Z
ON Semiconductor

2N4401_J18Z

частина: 5717

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V,

Список побажань
2N4401_J25Z
ON Semiconductor

2N4401_J25Z

частина: 5739

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V,

Список побажань
2N4401_D81Z
ON Semiconductor

2N4401_D81Z

частина: 5738

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V,

Список побажань
2N4401_J05Z
ON Semiconductor

2N4401_J05Z

частина: 5658

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V,

Список побажань
2N4401_D11Z
ON Semiconductor

2N4401_D11Z

частина: 5722

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V,

Список побажань
2N4400_D81Z
ON Semiconductor

2N4400_D81Z

частина: 6588

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 1V,

Список побажань
2N4126TAR
ON Semiconductor

2N4126TAR

частина: 5671

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

Список побажань
2N4124_S00Z
ON Semiconductor

2N4124_S00Z

частина: 5712

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

Список побажань
2N4124TAR
ON Semiconductor

2N4124TAR

частина: 5735

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

Список побажань
2N4124_J18Z
ON Semiconductor

2N4124_J18Z

частина: 5681

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

Список побажань
2N4123TAR
ON Semiconductor

2N4123TAR

частина: 5655

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V,

Список побажань
2N3906_J18Z
ON Semiconductor

2N3906_J18Z

частина: 5647

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Список побажань
2N3906_J25Z
ON Semiconductor

2N3906_J25Z

частина: 5695

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Список побажань
2N3906_J05Z
ON Semiconductor

2N3906_J05Z

частина: 5663

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Список побажань
2N3906_D81Z
ON Semiconductor

2N3906_D81Z

частина: 5694

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Список побажань
2N3906_D27ZS00Z
ON Semiconductor

2N3906_D27ZS00Z

частина: 5684

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Список побажань
2N3906_D11Z
ON Semiconductor

2N3906_D11Z

частина: 5643

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Список побажань
2N3904_J61Z
ON Semiconductor

2N3904_J61Z

частина: 5705

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Список побажань
2N3905TAR
ON Semiconductor

2N3905TAR

частина: 5721

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V,

Список побажань