Menu
УКРАЇНАУКРАЇНА
Rfq / замовлення
0Rfq / замовлення

Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні

  • Додому
  •  
  • Транзистори - біполярні (BJT) - одинарні
2N5772_D75Z
ON Semiconductor

2N5772_D75Z

частина: 5757

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 300mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 3mA, 300mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 500nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 400mV,

Список побажань
2N5308_D27Z
ON Semiconductor

2N5308_D27Z

частина: 5795

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V,

Список побажань
2N5772_D26Z
ON Semiconductor

2N5772_D26Z

частина: 6637

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 300mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 3mA, 300mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 500nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 400mV,

Список побажань
2N4410_D75Z
ON Semiconductor

2N4410_D75Z

частина: 5836

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V,

Список побажань
2N5172_D75Z
ON Semiconductor

2N5172_D75Z

частина: 5805

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V,

Список побажань
2N4410_D74Z
ON Semiconductor

2N4410_D74Z

частина: 5805

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V,

Список побажань
2N4410_D27Z
ON Semiconductor

2N4410_D27Z

частина: 6668

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 80V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V,

Список побажань
2N4402_J14Z
ON Semiconductor

2N4402_J14Z

частина: 6610

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 2V,

Список побажань
2N4402_S00Z
ON Semiconductor

2N4402_S00Z

частина: 5789

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 2V,

Список побажань
2N4402_D81Z
ON Semiconductor

2N4402_D81Z

частина: 5772

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 2V,

Список побажань
2N3703
ON Semiconductor

2N3703

частина: 5781

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V,

Список побажань
2N3702_D27Z
ON Semiconductor

2N3702_D27Z

частина: 5841

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

Список побажань
2N3415_D75Z
ON Semiconductor

2N3415_D75Z

частина: 5760

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 4.5V,

Список побажань
2N3702_D26Z
ON Semiconductor

2N3702_D26Z

частина: 5844

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

Список побажань
2N3415_D74Z
ON Semiconductor

2N3415_D74Z

частина: 5797

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 4.5V,

Список побажань
2N3415_D27Z
ON Semiconductor

2N3415_D27Z

частина: 5789

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 4.5V,

Список побажань
2N3415_D26Z
ON Semiconductor

2N3415_D26Z

частина: 5829

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 4.5V,

Список побажань
2N3393_D26Z
ON Semiconductor

2N3393_D26Z

частина: 6631

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 90 @ 2mA, 4.5V,

Список побажань
2N7051
ON Semiconductor

2N7051

частина: 5802

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 100V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 200nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 5V,

Список побажань
2N5771_D75Z
ON Semiconductor

2N5771_D75Z

частина: 5755

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 300mV,

Список побажань
2N6427_D26Z
ON Semiconductor

2N6427_D26Z

частина: 5747

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 1µA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 14000 @ 500mA, 5V,

Список побажань
2N5771_D74Z
ON Semiconductor

2N5771_D74Z

частина: 5793

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 300mV,

Список побажань
2N5771_D27Z
ON Semiconductor

2N5771_D27Z

частина: 5814

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 300mV,

Список побажань
2N5366_D75Z
ON Semiconductor

2N5366_D75Z

частина: 6592

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 30mA, 300mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 1V,

Список побажань
2N5771_D26Z
ON Semiconductor

2N5771_D26Z

частина: 5821

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 15V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 10nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 300mV,

Список побажань
2N5366_D27Z
ON Semiconductor

2N5366_D27Z

частина: 5793

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 30mA, 300mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 1V,

Список побажань
2N5306_D74Z
ON Semiconductor

2N5306_D74Z

частина: 5809

Транзисторний тип: NPN - Darlington, Струм - колектор (Ic) (макс.): 1.2A, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V,

Список побажань
2N5087_J61Z
ON Semiconductor

2N5087_J61Z

частина: 5824

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 50V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V,

Список побажань
2N4403_J60Z
ON Semiconductor

2N4403_J60Z

частина: 5800

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Список побажань
2N4403_S00Z
ON Semiconductor

2N4403_S00Z

частина: 5781

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Список побажань
2N4403_J05Z
ON Semiconductor

2N4403_J05Z

частина: 5802

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Список побажань
2N4403_J18Z
ON Semiconductor

2N4403_J18Z

частина: 5802

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Список побажань
2N4403_D29Z
ON Semiconductor

2N4403_D29Z

частина: 6590

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Список побажань
2N3906_J61Z
ON Semiconductor

2N3906_J61Z

частина: 5765

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 40V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Список побажань
2N4126_S00Z
ON Semiconductor

2N4126_S00Z

частина: 5756

Транзисторний тип: PNP, Струм - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 25V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 50nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

Список побажань
2N3704_D75Z
ON Semiconductor

2N3704_D75Z

частина: 5787

Транзисторний тип: NPN, Струм - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напруга - пробій випромінювача колектора (макс.): 30V, Насиченість Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 100mA, Струм - відсікання колектора (макс.): 100nA (ICBO), Посилення струму постійного струму (hFE) (мінімальне) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

Список побажань